武爾楨，半導體專家。中國電子工業界半導體技術帶頭人和第一個半導體研究室和研究所的創建人。先後組織並主持研製出了中國第一隻矽超高頻低噪聲電晶體、第一塊p－n結隔離的單塊積體電路和首種64千位動態隨機 存取存儲器的超大規模積體電路，以及中國第一台60萬伏高能離子注入機和高壓單晶爐。在培養人才方面也作出了相應的貢獻。
基本介紹
- 中文名：武爾楨
- 別名：烏拉
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 出生地：山東省濰坊市武家村
- 出生日期：1920年
- 逝世日期：1986年
- 職業：半導體專家
- 主要成就：主持研製出了中國第一隻矽超高頻低噪聲電晶體
簡介,生平,年份記事,
簡介
1952年，工業戰線急需人材，武爾楨奉調到天津廣播器材廠擔任廠長，1964年研製出了6類9種鍺器件，並為當時中國自行研製的第一台全電晶體化的電子計算機（108乙型）提供了配套所必需的兩種開關電晶體，翌年即1965年，他們又研製出了中國第一支矽超高頻低噪聲電晶體、第一支矽台面高頻大功率電晶體和第一塊p-n結隔離的單塊積體電路，此外還有22種不同型號的矽器件。1969年底，開始研究要有60萬伏的高能離子注入機，1975年研製成功，如今，這台有三層樓房高的機器仍在正常運轉，還在發揮著尚未終結的關鍵作用。被稱為第四代半導體積體電路產品的VLSI（超大規模積體電路），國外是在70年代中期，在經歷了中小規模與大規模積體電路技術的演變而發展起來的。它是半導體技術、電子技術、冶金技術、化工技術、精密機械技術、計算機輔助設計與分析測試技術以及超微細加工技術等多學科交叉融合的結晶。武爾楨選擇的突破口是在當時被標誌為的一個重要台階的代表產品——64千位動態隨機存取存儲器。這個由武爾楨等經過周密調研後作出的決策，在當時既符合基於自力更生的國情，又瞄準了國際上先進水平，遂被上級主管部門列為中國“七五”科技發展規劃中的一個項目。1986年5月13日，即約經半年的時間，中國首批64KDRAM樣品就被他們研製了出來，成為當時正在北京召開的全國“六五”科技成果表彰大會的一項重大新聞，並被大會視為水平最高的成果之一。
生平
武爾楨又名烏拉，1920年12月20日出生在山東省濰坊市武家村一個世代務農家庭。他3歲時喪母、5歲時繼母又去世，父親一直單身一人在膠濟鐵路張店站當客車檢票員，故童年時期全靠伯祖母、姑姑照顧撫養。6歲時入私塾讀書。11歲時由於韓（復榘）閻（錫山）之戰的影響，隨同姑姑去青島投奔一位遠房親戚。3個月以後，武爾楨一人去張店和父親一起生活、上學。不到兩年就隨父親調差青島在鐵路國小上學，半年後轉入鐵路中學學習。1937年，武爾楨國中畢業。時值“七七”事變驟起，乃隨父親回到濰坊鄉下暫住。一年以後重又到青島禮賢中學上高中。武爾楨的童年和少年就是在這種失去母愛、缺少父愛，再加上軍閥混戰、日本侵略軍蹂躪的動亂年代中渡過的，因而從小就養成了獨立生活、獨立思考的能力與自強自立的性格。少年時期的不安定生活使他看到了舊中國的黑暗，百姓的疾苦，體會到了“哀民生之多艱”的含義。在他幼小的胸襟中積蓄起來的這種思緒，萌生了日後學好知識、投入“科學救國”、“實業救國”行列的心志。在高中學習期間，武爾楨起早貪黑，發憤用功。在教室里，每天都是到得最早、走得最晚。3年的高中學習成績，在學校里總是名列前茅，深受當時望重惜才的教師的器重。不甘忍受日本侵略軍欺躪、不願當亡國奴的武爾楨，高中畢業以後，毅然離開當時已成為淪陷區的青島，決心去大後方重慶求學。
1941年夏天，原定7人同去重慶。幾經商量之後，其他6人退了下來，剩下武爾楨一人開始了艱難的征程。當時從青島坐火車西去只能通到商丘，於是他在到達商丘之後，便徒步走到洛陽，再從那裡設法越過日本侵略軍布設的封鎖線。之後，他用剩下不多的錢買了一匹毛驢，以騎代步，曉行夜宿，比較平安地到達陝西寶雞。此時他所帶的川資已經花光，為能到達心目中的大後方，只好賣掉毛驢，再次徒步前進。在翻越秦嶺的途中，僅有的一點點行李錢物又被人騙去。在身無分文的情況下，他忍飢挨餓走到了廣元。之後，他便沿著南下的嘉陵江邊打工邊乞討地走到了當時的陪都重慶。在重慶他慶幸自己考入了當時設在川南李莊的同濟大學。飽受戰亂頻仍、日軍欺凌和顛沛流離之苦的武爾楨滿以為到了作為大後方的重慶，從此可以安心讀書。可是，在同濟大學過了半年的大學生活之後，武爾楨所看到的是，國民政府統治下的重慶地區，社會黑暗，官場腐敗，失望之感油然而生，遂產生了離開重慶的想法。由於在1941年至1942年之交，雲南昆明被許多追求進步的青年學生視為能呼吸到新鮮空氣的地方，他便於1942年10月來到昆明，慕名考入了西南聯大。長期的流浪，社會的動盪，武爾楨已和家裡失掉聯繫。他在西南聯合大學學習期間，經濟上失去了來源。為了上完大學，先在學校里挑水打工，後在昆明唯一的一家放映美國原版影片的電影院裡當同聲翻譯，用所得的收入維持繼續上學的費用。
在西南聯大，他經歷了一次又一次的爭民主、反迫害的學運浪潮，目睹了橫行無忌的國民黨警察特務隨意槍殺李公朴、聞一多等民主志士的血腥罪行，加深了對國民黨統治集團的反動、腐敗本質的認識，原本對政治無甚主見的他，通過對比，自然而然地接受了中國共產黨的抗日救國和謀求民族解放的新思想。1945年8月15日，日本帝國主義宣布無條件投降，這場持續了8年、給中華民族造成深重災難的戰爭終於結束了。1946年，開始復員的西南聯合大學部分北遷，他被分到北京清華大學物理系學習。越一年完成大學學業之後，於1947年投奔冀察熱遼解放區，參加了中國共產黨領導下的民族解放事業。1948年10月他加入中國共產黨。也在這一年，經歷土地革命鍛練的武爾楨進入了新聞戰線，先後擔任過冀察熱遼分局民眾日報、天津日報編輯和天津人民廣播電台編輯科長等職務。1952年，工業戰線急需人材，他奉調到天津廣播器材廠擔任廠長，從此開始了把畢生精力，包括把科技專長奉獻給電子工業建設的歷程。1954年，此廠改隸機械工業部10局（電子工業局）管理，任務大為加重，並獲得了另一廠名（764廠），他仍任廠長職務。那段時間，直至1956年，正是中國國民經濟建設從恢復生產、支援抗美援朝和調整充實到開始執行第一個五年計畫時期，全國人民意氣風發，各條戰線凱歌頻奏。勇於開拓、忠於職守的武爾楨，在他所曾任事的單位均作出了令人稱道的成績，而他也從中吸取了許多對於增強才幹極為重要的知識與經驗。
1956年，由周恩來總理親自主持制訂的“十二年科學發展規劃”，把半導體技術作為中國四大發展重點之一。半導體是美國人於1948年發明的，中國1956年對半導體的科研工作則是剛剛開始。當時的蘇聯，其半導體研究水平與美國比較起來還存在著一段差距，中國又正處在大學蘇聯的熱潮之中。武爾楨就是在這種歷史背景下，於1956年3月由天津764廠調到第二機械工業部第十一研究所（北京）任副所長，分工主管半導體材料與器件的研究開發工作。由於他對開闢中國半導體產業這片處女地對於發展起步中的電子工業、包括發展新一代軍用電子裝備的重要意義具有深刻的認識，儘管面對的形勢十分嚴峻，任務十分艱巨：所能指揮調動的技術人員，不是和他一樣需要“自覺改行”、就是新近才加入的年輕的大中專學生，都無例外地要經過某種形式的培訓；用來製造半導體材料與器件的專門裝備與檢測儀器只能自己動手製造和移用改造；所能借鑑的技術資料也十分稀缺，只能到浩如瀚海的外國文獻中去大海撈針。懷著極強使命感和緊迫感的武爾楨上任伊始，就本著一顆為社會主義事業貢獻自己一片忠誠之心，投入了以解決這些問題為中心的半導體研究室的組織工作，並在組建過程中率領這支年輕的技術隊伍去當時的中科院套用物理所半導體研究室進修訪問並參與研製工作。該室於1957年11月研製出的中國第1隻鍺三極體，蘊涵了他們的辛勞，更重要的是增長了他們的才智。1958年他們回到第十一研究所後把用自己設計製造的幾種半導體器件組裝成的首台半導體收音機送到周恩來總理手中。這台收音機在今日看來儘管微不足道，卻奏出了國產半導體整機從此起步的序曲。
年份記事
1920年12月20日 出生在山東省濰坊市武家村。
1941年－1942年 在四川同濟大學學習。
1942年－1946年 在雲南昆明西南聯合大學學習。
1946年－1947年 畢業於北京清華大學。
1947年－1948年 中國共產黨冀察熱遼分局民眾土改工作隊，隊員。
1948年－1949年 任冀察熱遼分局民眾日報社、天津日報社編輯。
1949年－1952年 任天津人民廣播電台編輯科長。
1952年－1954年 任天津廣播器材廠廠長。
1954年－1956年 任國營764廠廠長。
1956年－1959年 任第二機械工業部第十一研究所副所長。
1959年－1960年 任第四機械工業部第十二研究所副所長。
1960年－1975年 任第四機械工業部第十三研究所副所長兼總工程師。
1975年－1979年 任第四機械工業部第十三研究所所長兼總工程師。
1979年－1982年 任電子工業部第十四研究院副院長。
1982年－1986年 任電子工業部中國電子器件工業總公司總工程師。
1986年6月5日 在北京逝世。
