《模擬電路解題技巧及題例》是一本正文語種為簡體中文的書籍。
基本介紹
- 中文名：模擬電路解題技巧及題例
- 作 者：馬長芳
- 出 版 社：科學出版社
- ISBN：703013438
- 包 裝：平裝
- 頁 數：234頁
基本信息,內容介紹,目錄,
基本信息
作 者：馬長芳
出 版 社：科學出版社出版日期：2005-03
ISBN：703013438版 次：1
包 裝：平裝開 本：小16開
頁 數：234頁字 數：289千
印 張：1次
所屬分類：圖書 > 工業技術 > 電力電工 > 電工技術 > (分類細分與勘誤)
內容介紹
本書是一本教學參考書和題解範例集。全書介紹了50種解題技巧與解題方法，並收集和整理了模擬電路典型例解300例。每種方法都附有一個甚至多個解題實例，解題過程詳盡，方法多樣，既適於檢查、鞏固基礎知識，也適於鍛鍊提高或考研參考。 本書可作為高等院校電類專業本科學生的學習輔導書，也可供考研者參考。
目錄
前言
a篇 模擬電路解題技巧50法
a.1 半導體器件基礎
一法 識別穩壓二極體同普通二極體的簡單方法
二法 巧用兩種穩壓二極體獲得多種基準電壓
三法 判斷雙極型電晶體類型及管腳的常用方法
四法 複合管的構建與識別技術
五法 如何獲得某靜態工作點處的bjt小信號參數γbe、γce、δm和β?
六法 用簡易測試法獲得nmos場效應管的溝道參數kn和開啟電壓vtn
七法 獲得二極體反向飽和電流is參數的簡單方法
a.2 半導體電路分析基礎
八法 二極體工作狀態的判斷方法
九法 三極體工作狀態的判斷方法
半導體三極體又稱“晶體三極體”或“電晶體”。在半導體鍺或矽的單晶上製備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發射極E和集電極C，是能起放大、振盪或開關等作用的半導體電子器件。
十法 mos場效應管直流工作點的求解方法
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
十一法 jfet電路直流工作點的求解方法
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
十二法 直流負載線和交流負載線的快速作圖法
十三法 善用戴維寧定理可使電路簡化
十四法 電晶體放大電路輸入電阻ri的計算方法
十五法 電晶體放大電路輸出電阻ro的計算方法
十六法 電晶體放大電路放大倍數av的計算方法
十七法 fet放大電路輸入電阻ri的計算方法
十八法 fet放大電路輸出電阻ro的計算方法
十九法 fet放大電路電壓放大倍數av的計算方法
二十法 用短路時常數法和分別求解法求放大電路的下限頻率fl
二十一法 用開路時常數法求放大電路的上限頻率fh
二十二法 共射極放大電路上限頻率fh的求解方法
二十三法 串接放大器的分析方法
二十四法 多級放大器的分析方法
二十五法 差分放大器的計算方法
二十六法 差分放大器的半電路分析法
二十七法 反饋組態及其判別方法
二十八法 負反饋放大電路的近似分析法
二十九法 負反饋放大電路的方框圖分析法
三十法 負反饋放大電路的小信號模型分析法
三十一法 集成運放的電路識圖技術
三十二法 集成運放電路的分析計算方法
三十三法 功率放大器的分類與判別
三十四法 功率放大器的分析計算方法
三十五法 一種nmos電路的分析方法
三十六法 碰到疑難問題可用ewb機助仿真法進行分析
a.3 半導體電路設計基礎
三十七法 電晶體放大電路的構建及故障排查技術
