楊炳雄

楊炳雄,男,漢族,1965年1月生,1986年畢業於清華大學畢業現代套用物理系,1987年赴日本北海大學學習,物理學博士。2001年至2005年,任美國MTX矽谷研發中心主任。

基本介紹

  • 中文名:楊炳雄
  • 國籍:中國
  • 民族:漢族
  • 出生日期:1965年1月
工作經歷,創業經歷,個人言論,事跡成就,

工作經歷

1981年至1986年在清華上學,畢業後被推薦為中科院研究生,3個月後經教育部推薦到日本公費留學。在日本北海道大學攻讀完碩士、博士學位後,在北海道大學研究中心任研究員工作了近2年半。1995年去了美國,我喜歡通訊行業,在日本時就搞半導體、光電材料、雷射器等,一直到回國都在搞通訊方面的工作。

創業經歷

楊炳雄 在美國創建 A cTech.Inc.公司,對本項目進行了前期開發和中試,為在國內實現產業化創造了條件。幾位專家去年歸國後,與一家房地產開發公司共同創建了大連艾科科技開發有限公司,將美國 A cTech.Inc.公司併入大連艾科,成為大連艾科的在美研發中心。該項目去年10月經大連市發展計畫委員會確認為國家高科技產業光電子專項項目並報國家計委立項,現經國家計委初審通過。專家認為,該項目技術居國家領先水平,具有廣闊的發展前景和市場潛力。

個人言論

● 一位資深的專家曾經說:“世界上大多數人會因為自己的興趣和愛好花費很多錢,而我卻因為自己的興趣和愛好賺了很多錢,所以我認為我是世界上最幸福的人。”
● 無論企業是好是壞,無論我個人是否賺錢,我最大的自豪是我為國家的微波、光電事業作出了巨大的貢獻。

事跡成就

他開發出以多晶InP為磷源的MBE生長法,在世界上首次實現了磷系材料的MEE生長法;他在世界上首次在II-VI族MBE生長室生長出InP緩衝層,從而實現了世界上首次用一個襯底可實現全可見光譜的II-VI族寬禁帶雷射材料;他帶領技術團隊發明了以多層陶瓷中VIA 空洞為微波波導界面的導波結構,使陶瓷導波頻寬從0-15GHz 提高到0-50GHz,並運用上述發明首次設計出世界上體積最小,功能最多,微薄頻譜最寬的超小型10G光接收模組;他為了填補國內高端光有源器件產業化的空白,放棄了國外優厚待遇,歸國創業;他帶領公司科研團隊在國內首次實現了10Gb/s光有源器件的產業化,打破高端光有源器件的國際壟斷。他曾在國際著名刊物上發表學術論文30餘篇,擁有兩項國內外發明專利。

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