楊光榮，男，畢業於中國科學技術大學（北京）技術物理半導體專業，物理學家，2017年被美國名人錄授予終身成就獎。
基本介紹
- 中文名：楊光榮
- 國籍：中國
- 職業：物理學家
- 畢業院校：中國科學技術大學
- 主要成就：2017年被美國名人錄授予終身成就獎
楊光榮教授畢業於中國科學技術大學（北京）技術物理半導體專業。大學畢業後，在中國科學院半導體研究所從事半導體材料、器件及其工藝與理論的研究。1964年至1985年間，所參加過的研究工作中半導體溫差電致冷材料、半導體冰櫃、氧化物半導體、硫系半導體、雙束合成低能離子束外延試驗機等項目，曾獲得過中國科學院科學技術進步獎和一個1978年全國科學大會獎。在中國科學院工作期間，在全國性刊物和全國性會議上發表過十來篇文章，組織和參加了“大規模集成電子學”的編譯和出版工作。
1985年至1987年，在加拿大西安大略大學表面科學中心做訪問學者，主要從事半導體鎵砷材料和器件的分析和研究，另外還參與了金礦石的分析和評估、特色鋼材性能與成分的鑑別、碳同位素對考古項目的套用等。1987年至1988年，在該校的物理系及物理化學中心做訪問教授，主要從事非晶矽硼合金薄膜材料的特殊光學和電學性質的研究、材料的特性與其結構成分和工藝之間的相互關係的研究以及該薄膜材料在光學、光電、電子和半導體器件等領域的套用和研究。這段時間從事的工作大部分都屬於當時世界上的前緣項目，尤其是有關非晶矽硼合金薄膜的全面和系統的研究，其領先地位一致被世界所公認。
1988年後，應邀在美國霍倫爾理工學院的物理系、集成電子學中心、積體電路和微電子器件研製中心和半導體研究合作協調小組做訪問學者、研究教授，負責指導博士生和其研究工作，協調和實施與美國各大半導體公司、有關大學和其他研發組織的合作項目。主要從事用於超大規模積體電路、新一代計算機、改進生物、醫療和通訊的新材料（如納米、高分子等）、新技術（如電磁調控的真空蒸發合成有機高分子薄膜，金屬等離子真空低溫外延等）、新工藝（原子級和分子級薄膜的生長等）和新器材的超前研究。所涉及到的研發項目和其研究成果，有不少還始終占據在世界的前沿地位。其間曾申請到多個美國專利，如“利用電場提高真空蒸發澱積高分子成形速度”、“超薄CVD高分子薄膜的表面處理”等，同時有一百多篇文章發表在國外的書、刊和會議文集上。曾是美國材料學會、美國前沿科學協會會員，同時被美國一些學術網站評價為是在材料科學、有機化學和高分子化學領域的高級專家。
自1998 - 1999年度首次入選美國名人錄（Marquis Who’s Who）之後，在2000年、2006年、2007年、2009年、2010年度又多次入選美國名人錄。2017年被美國名人錄授予終身成就獎。
