《核殼結構硫系半導體納米量子點摻雜與光電性能調控》是依託南京大學，由徐嶺擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：核殼結構硫系半導體納米量子點摻雜與光電性能調控
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐嶺
- 依託單位：南京大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
半導體納米量子點的摻雜方法、摻雜機制以及通過摻雜來調控其電學或光學特性，一直是近幾年來國內外研究的熱點和前沿課題，在光電子器件中有著的巨大的套用前景。本項目採用低溫下（常溫）的化學反應進行摻雜，選擇合適的配體外延生長殼層，鈍化納米量子點表面缺陷；同時利用在核殼結構交界處的電場，排斥帶正電的金屬，實現核殼結構硫系半導體納米量子點金屬摻雜，再利用化學層狀生長的方法將單分散的核殼結構摻雜硫系半導體納米量子點通過自組裝，分別形成p型和n型納米晶薄膜，研究摻雜對其能帶結構、電學輸運性質等的影響，並研究摻雜引起的能量轉移和螢光增強原理，增加我們對摻雜硫系半導體納米量子點的光吸收、光增強、光電轉換等物理過程的認識，達到摻雜調控半導體納米量子點的電學性質和光學性質的目的，為進一步實現高效率的螢光發光器件及太陽能電池器件套用打下良好的基礎。
結題摘要
本項目的研究目的是研究半導體納米量子點的摻雜方法、摻雜機制以及通過摻雜來調控其電學或光學特性，我們得到以下成果：（1）採用成核摻雜方法獲得質量高的的ZnSe:Eu QDs，光發射譜觀察到ZnSe量子點主要作為敏化劑對摻雜的Eu離子通過能量傳遞產生螢光敏化增強 （2）製備了CdTe/CdS量子點（QDs）/Au納米顆粒（NPs）複合膜，利用Au NPs局域表面等離激元增強光螢光效應，得到了增強螢光強度的CdTe/CdS量子點（QDs）薄膜，大大改善CdTe/CdS QDs薄膜螢光性能。（3）研究了摻雜碲化鎘量子點的矽納米線/PEDOT：PSS的混合太陽能電池，發現在300納米至600納米波段範圍電池外量子效率（EQE）和功率轉換效率均得到提高;為進一步實現高效率的螢光發光器件及太陽能電池器件套用打下良好的基礎 （4）研究了納米尺度下Zn摻雜的非晶態硫系半導體材料GST薄膜的結構表征、光電特性及其相變性質，研究了不同Zn摻雜濃度的Zn-GST薄膜的電學性質，I-V測試表明在置位和復位特性方面鋅摻雜的鍺銻碲薄膜比純鍺銻碲薄膜具有更高的置位和復位電壓，並通過Zn摻雜的比例可調控薄膜的電學性質。
