李雪松：男，電子科技大學教授。畢業於美國Rensselaer Polytechnic Institute見面，獲得清華大學，機械工程專業，學士學位，清華大學，材料加工工程專業，碩士學位，美國Rensselaer Polytechnic Institute，材料工程專業，博士學位。
基本介紹
- 中文名：李雪松
- 國籍：中國
- 職業：電子科技大學教授
- 畢業院校：美國Rensselaer Polytechnic Institute
人物履歷,教育經歷,工作經歷,學術兼職,榮譽獎勵,研究領域,學術成果,
人物履歷
教育經歷
1996.09－2000.07 清華大學，機械工程專業，學士學位
2000.09－2003.07 清華大學，材料加工工程專業，碩士學位
2003.08－2007.05 美國Rensselaer Polytechnic Institute，材料工程專業，博士學位
工作經歷
2007.05－2010.09 美國德州大學奧斯汀分校，博士後
2010.10－2012.01 美國IBM T. J. Watson研究中心，資深博士後
2012.02－2012.06 美國Bluestone Global Tech Ltd.，合夥創始人
2012.07－2014.05 美國Bluestone Global Tech Ltd.，合夥創始人、副總裁
2014.07－2014.12 美國耶魯大學，副研究員
2014.06－2015.07 美國LasLumin LLC.，創始人、CEO
2015.07- 至今 電子科技大學，教授
學術兼職
Member of the Graphene Technology Editorial Board
榮譽獎勵
2010年美國Semiconductor Research Corporation Inventor Recognition Award
2013年IBM Pat Goldberg Memorial Best Paper Award
2015 年國家“青年千人計畫”專家
2016年四川省千人計畫專家
研究領域
石墨烯薄膜的製備
通過化學氣相沉積的方法，使含碳氣體在金屬或非金屬基底上裂解沉積形成石墨烯薄膜。主要研究各反應條件/參數對石墨烯缺陷、單晶尺寸、層數等的影響，理解石墨烯生長的熱/動力學機制和過程，從而實現對石墨烯生長的可控。研究方向包括：
1）大面積石墨烯單晶的快速生長；
2）大面積石墨烯薄膜的連續、低成本製備；
3）多層石墨烯薄膜的可控制備；
4）石墨烯的缺陷控制；
5）石墨烯的低溫製備；
6）石墨烯在非金屬基底上的直接生長。
在電子、光電子、感測器等領域的套用
1）石墨烯太赫茲器件；
2）石墨烯紅外探測器；
3）石墨烯壓力感測器；
4）石墨烯氣體感測器。
三、新型二維材料的製備
學術成果
發表包括Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Photonics、Nano Letters、JACS等在內的SCI英文文章46餘篇，他引次數總計15000多次，其中第1作者論文15篇，引用次數8000多次。研究工作多次被Nature、ScienceDaily、Phys.org、AZonano.com等刊物和網站專題評論。發表在2009年Science上關於大面積石墨烯薄膜製備的成果被Science選為當年重大科技突破之一。在2010諾貝爾物理學獎獲獎演講中該工作被重點引述，並被認為是推動石墨烯研究與套用進程的重要因素之一。該工作迄今為止已被引用5000多次。該發明是當前石墨烯薄膜製備的核心技術，在科研和工業生產中均被廣泛使用。
Selected Publications
1.Li X.S.*,Colombo L.*, Ruoff R.S.*, “Synthesis of graphene films on copper foils by chemical vapor deposition”,Advanced Materials,28, 6264-6252, (2016) (back cover)
2.Li X.S., Deng B.C., Wang X.M., Chen S.Z., Vaisman M., Karato S.-I., Pan G., Lee M.L., Cha J., Wang H., Xia F.N., “Synthesis of thin-film black phosphorous on a flexible substrate”,2D Materials,2031002 (2015)
3.Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., Tromp R.M., Hannon J.B., Vogel E.M., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large area graphene single crystals grown by low pressure chemical vapor deposition of methane on copper"Journal of the American Chemical Society133, 2816-2819 (2011)
4.Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., An J.H., Suk J.W., Han B.Y., Borysiak M., Cai W.W., Velamakanni A., Zhu Y.W., Fu L.F., Vogel E.M., Voelkl E., Colombo L. and Ruoff R.S. "Graphene films with large domain size by a two-step chemical vapor deposition process"Nano Letters104328-4334 (2010)
5.Li X.S., Zhu Y.W., Cai W.W., Borysiak M., Han B.Y., Chen D., Piner R., Colombo L. and Ruoff R.S. "Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes"Nano Letters94359-4363 (2009)
6.Li X.S., Cai W.W., Colombo L. and Ruoff R.S. "Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling"Nano Letters94268-4272 (2009)
7.Li X.S., Cai W.W., An J.H., Kim S., Nah J., Yang D.X., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S.K., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils"Science3241312-1314 (2009)
Granted Patents
1. Colombo L.,Li X.S. and Ruoff R.S. “Graphene synthesis by chemical vapor deposition” 美國, 專利號: US 8,470,400 B2, 授權公告日: 2013/06/25
2.Li X.S.,Lin Y-M., Song C-Y., “Method for synthesizing a thin film”, 美國, 專利號: US 8,728,575, B2，授權公告日: 2014/05/20
3. Zhao X.,Li X.S., Lin Y-M. “Graphene hybrid structures for energy storage applications”, 美國，專利號: US 9,053,843, 授權公告日: 2015/06/09
