李競春，女，電子科技大學副教授，1963年11月出生。1985年在四川大學物理系獲理學學士學位；2002在電子科技大學微電子學與固體電子學專業獲得碩士學位；1985年至今在電子科技大學微電子與固體電子學院從事教學和科研工作。2005年曾赴澳大利亞墨爾本維多利亞大學進行短期學習進修；主講本科專業基礎課程《固體物理》和《量子力學與統計物理 》。
先後主持或主研參與了國家973項目子專題、部級共性支撐項目、國家重點實驗室項目及多項橫向合作項目等共10餘項科研任務。
基本介紹
- 中文名：李競春
- 出生日期：1963年11月
- 職業：副教授
- 畢業院校：四川大學物理系
主要成就,出版著作,主要論文：,申請專利：,
主要成就
主要研究方向是SiGe異質結器件及SiGe CMOS和BiCMOS電路。承擔和參加多項“九五”、“十五”總裝軍事預研和國防重點實驗室基金項目，完 成“絕緣參數線上監測感測器技術研究”、“Si/SiGe PMOS器件及可靠性研究”、“低溫優質薄柵介質工藝研究”、“SiGe HCMOS器件研究” 等項目。目前承擔軍事電子預研支撐技術項目“SiGe HCMOS IC關鍵技術研究”、“SiGe BiCMOS關鍵技術研究”、“GaN HEMT的極化工程和電 流崩塌效應”和多項國防重點實驗室基金、國家安全重大基礎研究等項目。
對本科生開設《量子力學與統計物理》、《固體電子學導論》兩門課程和研究生《特種半導體器件》課程。作為主持“專業物理系基礎列課程 改革與實踐”獲教學成果一等獎，“固體電子學導論”獲得首屆青年教師現代教育技術套用競賽二等獎，並多次獲得基礎課“拓普獎”。
出版著作
近年來在“半導體學報”、“Semiconductor Science and Technology”、“Journal of Electronics”、 “Microelectronics Journal”、 “電子科技大學學報”、“微電子學”等期刊發表科研、教學研究論文十餘篇。
主要項目：
[1] 深亞微米MOS器件物理模型探索（科工委基金）
[2]Si/SiGePMOS器件及可靠性研究（國家重點實驗室基金）
[3] SiGeHCMOS器件及電路的關鍵技術研究（軍事電子預研支撐技術項目）
[4]應變BiCMOS集成器件應力引入機理和方法（973）
[5]SiN薄膜應力引入SiCMOS溝道的機理與方法 （重點實驗室基金）
主要論文：
[1]LiJingchun,TanJing,YangMohua,ZhangJing,XuWanjing,”StrainedSiPMOSFETonverythinSiGevirtuals
ubstrate”,ChineseJournalofSemiconductors,2005,26(6):288~293
[2]LiJingchun,TanJing,FabricationStrained-SichannelMOSFETsonUltrathinvirtualSiGesubstrates，
JOURNALOFELECTRONICS,2006,23(2),266~268StrainedSiPMOSFETonverythinSiGevirtualsubstrate”,
ChineseJournalofSemiconductors,2005,26(6):288~293
[3]李競春，譚靜，梅丁蕾，張靜，徐婉靜，“採用低溫Si技術的Si/SiGe異質結P-MOSFET”，固體電子學研究與進展，
2006，26(2):162~165
[4]J李競春，韓春，周謙，張靜，徐婉靜，“240nmSi0.8Ge0.2虛襯底的應變Si溝道PMOSFET”，電子科技大學學報，
2007,36(1):126~128Photocatalytic Property of Surface Modified TiO2，Advanced Materials Research，2012，
399-401：1481-1486
[5]李競春,楊洪東,楊陽,局部雙軸應變SiGe材料的生長與表征,浙江大學學報，2011,45(6)：1048~1051
[6]LiJingchun,MeiDinglei,YangMo-Hua,StrainSiChannelHeterojuntionpMOSFETUsing400℃LT-
SiTechnology，半導體學報，2004，25(10):1221~1225
[7] Gateoxidepreparedbynanometersiliconwetoxidationatlowtemperature
forSi/SiGePMOSFETapplication”,SemiconductorScienceandTechnology,2001， Vol.16,Aug.
[8]LiJingchun,TanJing,XuWanjing,ZhangJing,TanKaizhdu,YangMohua,“Si/SiGePMOSFETUSINGP+IMPL
ANTATIONTECHNOLOGY”，JOURNALOFELECTRONICS，200724(1):100~103
申請專利：
李競春，於奇，楊謨華.新型環柵垂直SiGeCMOS器件，2007.5，國家發明專利，ZL03135326.6
王向展，於奇，楊洪東，李競春，應賢煒.一種應力放大的CMOS電晶體結構.申請號：ZL201010539413.9(已授權)
於奇，王向展，寧寧，李競春，楊洪東，應賢煒，周煒捷，蔣賓，王勇.一種利用應力集中效應增強溝道應力的MOS晶體
管，國際發明專利，申請號：PCT/CN2011/073177(已遞交美國專利商標局USPTO，申請號13/512,415)
導畢業碩士研究生
(1)碩士研究生就業均在行業知名企業：美國芯源系統有限公司（全球知名的高性能模擬半導體公司），華為，杭州士蘭
微、中國電子科技集團、中國航天研究所等；
(2)絕大部分同學獲得獎學金，部分同學額外獲得國家獎學金和企業獎學金；
指導在讀碩士研究生7名。
指導本科生：
創新基金和本科畢業設計，多名學生到北京大學、中科院，美國、新加坡繼續深造。
