李晟曼

李晟曼，女，來自湖南省岳陽縣，1994年出生，工學博士，湖南大學材料科學與工程學院副教授。2015年畢業於華中科技大學光學與電子信息學院獲工學學士學位，同年直博，繼續就讀於華中科技大學光學與電子信息學院，師從吳燕慶教授，2020年6月畢業被授予工學博士學位。2020年7月入職湖南大學材料科學與工程學院。

基本介紹

• 中文名：李晟曼
• 國籍：中國
• 出生日期：1994年
• 畢業院校：華中科技大學
• 學位/學歷：工學博士
• 職業：教師
• 職稱：副教授 
• 性別：女

人物經歷

國小就讀岳陽縣荷花塘國小，國中就讀岳陽縣八中。高中畢業於岳陽縣一中。

2011-2015，華中科技大學，電子科學與技術，工學學士；

2015-2020，華中科技大學，微電子學與固體電子學，工學博士 (導師：吳燕慶)

2020-，湖南大學材料科學與工程學院，副教授.

研究方向

專注納米材料生長、微納電子器件的加工製備、新原理器件製備與測試以及電路設計與集成。

主要成就

學術研究

在Nature Materials、Nature Nanotechnology、Advanced Electronic Materials等期刊發表SCI論文10餘篇。2019年參加國際微電子器件大會（IEDM）並作口頭報告，獲得台積電公司的關注。

學術成果

1. Li S. M., Tian M. C., Gao Q. G., Wang M. F., Hu Q. L., Li X. F., Wu Y. Q. Nanometer thin indium tin oxide for advanced high performance electronics. Nature Materials, 2019, 18(10), 1091-1097.

2. Li S. M., Tian M. C., Gu C. R., Wang R. S., Wang M. F., Xiong X., Li X. F., Huang R., Wu Y. Q. BEOL Compatible 15-nm channel length ultrathin indium-tin-oxide transistors with I_on = 970 μA/μm and on/off ratio near 10 at V_ds = 0.5 V. IEDM, 2019.

3. Huang M. Q., Li S. M., Zhang Z. F., Xiong X., Li X. F., Wu Y. Q. Multifunctional high-performance van der Waals heterostructures. Nature Nanotechnology, 2017, 12(12), 1148.

4. Wang M. F., Tian M. C., Zhang Z. F., Li S. M., Wang R. S., Gu C. R., Shan X. Y., Xiong X., Huang R., Hu Q. L., Li X. F., Wu Y. Q. High performance gigahertz flexible radio frequency transistors with extreme bending conditions. IEDM, 2019.

5. Li T. Y., Tian M. C., Li S. M., Huang M. Q., Xiong X., Hu Q. L., Li S. C., Li X. F., Wu Y. Q. Black phosphorus radio frequency electronics at cryogenic temperatures. Advanced Electronic Materials, 2018, 4, 1800138.

6. Li X. F., Wu J. Y, Ye Y. S., Li S. M., Li T. Y., Xiong X., Xu X. L., Gao T. T., Xie X. L., Wu Y. Q. Performance and reliability improvement under high current densities in black phosphorus transistors by interface engineering. ACS Applied Materials Interfaces, 2019, 11 (1), 1587–1594.

7. Li T. Y., Zhang Z. F., Li X. F., Huang M. Q., Li S. C., Li S. M., Wu Y. Q. High field transport of high performance black phosphorus transistors. Applied Physics Letters, 2017, 110, 163507.

8. Wang M. F., Li X. F., Xiong X., Song J., Gu C. R., Zhang D., Hu Q. L., Li S. M., Wu Y. Q. High-performance flexible ZnO thin-film transistors by atomic layer deposition. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40, 3, 419-422.

9. Hu Q. H., Hu, B., Gu C. R., Li T. Y., Li S. C., Li S. M., Li X. F., Wu Y.Q. Improved current collapse in recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs by interface and structure engineering. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(11): 4591-4596.

榮譽表彰

李晟曼曾獲國家獎學金、知行獎學金等榮譽。華中科技大學光學與電子信息學院網站2019年10月曾刊文《不忘初心，誠信前行”國獎經驗分享會順利舉辦》。