基本介紹
- 中文名：李弘愷
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：摩擦學，微納製造，化學機械平坦化線上檢測
- 任職院校：北京理工大學
個人經歷,研究方向,學術成果,
個人經歷
2019至今 北京理工大學機械與車輛學院 助理教授/特別副研究員
2015-2018 清華大學機械工程系博士後（助理研究員）
2010-2015清華大學機械工程系博士研究生
2006-2010北京科技大學自動化 本科
研究方向
摩擦學，微納製造，化學機械平坦化線上檢測
學術成果
主持中國博士後科學基金，天津市企業博士後創新項目擇優資助計畫（一等），並作為骨幹成員參加國家自然科學基金重大研究計畫集成項目和國家科技重大專項。
[1]Li HK, Zhao Q, Lu XC, Luo JB, “Signal processing and analysis for copper layer thickness measurement within a large variation range in the CMP process,” REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 88(11), 2017.
[2]Li HK, Lu XC, Luo JB, "Motor Power Signal Analysis for End-Point Detection of Chemical Mechanical Planarization," Micromachines, 8(6), 2017.
[3]Li HK, Wang TQ, Zhao Q, Meng YG, Lu XC. "Kinematic analysis of in situ measurement during chemical mechanical planarization process," REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 86(10), 2015.
[4]Li HK, Qu ZL, Zhao Q, Tian FX, Zhao DW, Meng YG, Lu XC. "A reliable control system for measurement on film thickness in copper chemical mechanical planarization system," REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS. 84(12), 2013.
[5] Li J, Liu J, Cheng J,Li HK, et al. Role of the Adhesion Force during Copper Chemical Mechanical Planarization. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 7(8): P410-P415.
[6]Li HK, Wang TQ, Li K, Lu XC. "IN-SITU CU LAYER THICKNESS MEASUREMENT DURING CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION," 2016 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2016.
[7]Li HK, Wang TQ, Zhao DW, Luo JB, Lu XC, "An In-Situ End-Point Detection System Using Motor Power Signal for Chemical Mechanical Planarization Process," Key Engineering Materials, 739, 2017.
[8]Li HK, Lu XC, Luo JB. Research on Multi-Method Endpoint Detection in Chemical Mechanical Planarization Process. 2017 International Conference on Planarization/CMP Technology (ICPT), Belgium, 2017.
[9]Li HK, Lu XC, Luo JB. Multi-zone pressure control for chemical mechanical planarization system. Sixth World Tribology Congress (WTC 2017), Beijing, 2017.
[10]Li HK, Lu XC, Luo JB. Multi-Method Endpoint Detection in the Copper Chemical Mechanical Planarization Process. 6th International Conference on nanoManufacturing, London, UK, 2018.
[11]Li HK, Lu XC, Luo JB. Research on In-Situ Thickness Measurement for Copper Chemical Mechanical Planarization Process. 2018 International Conference on Planarization/CMP Technology (ICPT), Seoul, Republic of Korea, 2018.
申請專利29件。其中，發明專利授權15件，實用新型授權1件。以下僅列授權專利部分。
1. 晶圓銅膜厚度線上測量模組控制系統，ZL 2013 1 0204691.2，中國.
2. CMP集成控制系統的通訊模組，ZL 2013 1 0684501.1，中國.
3. 基於XML的半導體裝備的工藝配方文檔處理系統，ZL 2013 1 0148657.8，中國.
4. 晶圓銅膜厚度離線測量模組控制系統，ZL 2013 1 0204940.8，中國.
5. 化學機械拋光控制系統的遠程訪問客戶端，ZL 2013 1 0684504.5，中國.
6. 化學機械拋光多區壓力線上控制算法，ZL 2016 1 0139592.4，中國.
7. 用於晶圓銅層厚度多點測量的標定系統，ZL 2016 2 1099178.7，中國.
8. 多工位化學機械拋光系統中晶圓傳送的控制方法，ZL 2016 1 0030932.X，中國.
9. CMP金屬膜厚測量數據的離線分段處理方法和處理系統，ZL 2016 1 0802034.1，中國.
10. 銅CMP線上測量點實時定位方法及系統，ZL 2016 1 0867097.5，中國.
11. 銅CMP的線上平坦度控制系統，ZL 2017 1 0312281.8，中國.
12. 用於化學機械拋光工藝終點檢測的離線調試系統及方法，ZL 2017 1 0713099.3，中國.
13. 用於化學機械拋光工藝的線上終點檢測控制系統及方法，ZL 2017 1 0713502.2，中國.
14. 用於晶圓台的晶圓膜厚度測量誤差補償的時空變換方法，ZL 2011 1 0452330.0，中國.
15. 用於晶圓台的晶圓膜厚度測量的誤差補償方法，ZL 2011 1 0452341.9，中國.
16. 利用晶圓台測量晶圓的膜厚度的方法，ZL 2011 1 0421573.8，中國.
1. 化學機械拋光終點檢測裝置用戶軟體 V1.0，2013SR020366，中國.
2. 雙工位化學機械拋光設備操作軟體 V1.0, 2013SR017915，中國.
3. 全自動乾進乾出化學機械拋光設備用戶軟體V1.0，2013SR020014，中國.
4.遠程監控清洗設備用戶軟體 V1.0，2013SR045510，中國.
5. 化學機械拋光設備OPC客戶端軟體 V1.0，2013SR046281，中國.
6. 化學機械拋光工藝配方處理軟體 V1.0，2013SR045508，中國.
7. 化學機械拋光控制系統通訊模組軟體 V1.0，2013SR106347，中國.
8. 離線測量晶圓銅膜厚度模組控制軟體 V1.0，2013SR106219，中國.
