李小進，男，華東師範大學通信與電子工程學院教授。
基本介紹
- 中文名：李小進
- 職業：教師
- 專業方向：VLSI積體電路設計、積體電路可靠性建模及可靠性設計
- 任職院校：華東師範大學通信與電子工程學院
研究方向,個人經歷,學術成果,
研究方向
VLSI積體電路設計
積體電路可靠性建模及可靠性設計
個人經歷
美國IRON CITY MICRO DISPLAY Inc.,公司R&D技術顧問
IEEE TED, IEEE TDMR, IEEE Access, IEEE TCADII等期刊評閱人
學術成果
聚焦國家重大戰略需求領域中的VLSI核心技術，專注於FPGA套用系統、積體電路設計及核心器件模型研究。近年來一直與上海積體電路研發中心(ICRD)、華力微電子、上海飛聚微電子、美國ICMD等企業合作，開展產業技術進步急需的科學技術研究。主持及參與多項國家重大科技專項、國家自然科學基金和上海市科委等各類科研項目。近兩年來，關注以深度學習算法為驅動的人工智慧技術，跟蹤算法、FPGA硬體加速技術發展。在數字積體電路設計領域積累了豐富的經驗。設計晶片（已流片）近10款，發表論文共60餘篇，其中SCI論文20餘篇。申請發明專利28項，其中已授權13項。
科研項目
1.門電路複合應力模式下NBTI的退化機制及建模，61204038，國家青年自然科學基金，主持
2.40納米GP工藝期間的可靠性模型研發，企業合作項目，主持
3.GFSK調製信號的MLSE同步與解調算法最佳化，企業合作項目，主持
4.NFC標籤晶片技術開發合作，48302980，企業合作項目，主持
5.3D DLP Display研發設計，48400270，企業合作項目，主持
6.符合DVB-T/DTMB標準低功耗、低複雜度同步關鍵模組技術研究，07SA07，上海市科委
7.低功耗Viterbi解碼器的FPGA設計，AM0508，上海市科委，主持
8.22nm FDSOI互連模型，2016ZX02301003，國家重大科技專項，主要研究人
9.深納米三維FinFET結構柵圍寄生電容模型及其波動性分布研究，61574056，國家自然科學基金，主要研究人
10.45nm成套產品工藝和IP-1，2009ZX02023-002-1，國家重大科技專項，主要研究人
項目經歷：
兼容DVB-T/DMBT關鍵模組(OFDM時頻域估計與同步，FFT處理器)設計及FPGA驗證
負責設計雙層加密防偽RFID晶片設計
負責設計雙接口NFC-Tag晶片，系統驗證
負責40納米NBTI退化效應監測電路設計及流片測試
負責AMD2B/AMD2B2，晶片調試（FIB，EMI），改版，流片測試。
MEMS（1920*1080）驅動顯示晶片設計開發技術負責人
負責MEMS微鏡顯示驅動晶片(M3A,1920x1080)設計
CMOS器件可靠性NBTI理論發展，模型提取新方法，複合應力模式長時退化新模型
22納米CMOS工藝後道互連線模型，提參及建模。
學術論文
1.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yabin Sun, Yan Zeng, and Yanling Shi, “Linear and Resolution Adjusted On-Chip Aging Detection of NBTI Degradation,” IEEE Transactions on Device & Material Reliability, vol. 18, No. 3 (2018). (第一作者)
2.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yabin Sun, and Yanling Shi, “Analytical Layout Dependent NBTI Degradation Modeling Based on Non-Uniformly Distributed Interface Traps,” IEEE Transactions on Device & Material Reliability, vol. 18, No. 3 (2018). (第一作者)
3.Jian Qing, Yan Zeng,Xiaojin Li*, Yabin Sun, and Yanling Shi, “Analytical Low Frequency NBTI Compact Modeling with H2 Locking and Electron Fast Capture and Emission,” Journal of Electronic Testing: Theory and Applications, vol.34, No. 5, (2018) (通訊作者)
4.Yabin Sun, Ziyu Liu,Xiaojin Li*, Jiaqi Ren , Fanglin Zheng and Yanling Shi, “Analytical Gate Fringe Capacitance Model for Nanoscale MOSFET with Layout Dependent Effect and Process Variations,” Journal of Physics D: Applied Physics, 2018 (通訊作者)
5.郭海霞,王燕玲,李小進*, et al.考慮NBTI效應的邏輯門退化延遲模型[J].微電子學, 2018. (通訊作者)
6.Yan Zeng,Xiaojin Li*, Yanling Wang, Yabin Sun,Yanling Shi, Ao Guo, et.al, Analytical long-term NBTI recovery model with slowing diffusivity and locking effect of hydrogen considered,Microelectronics Reliability· June 2017 (通訊作者)
7.Yan Zeng,Xiaojin Li*, Yabin Sun*, Yanling Shi, Ao Guo, Shaojian Hu, Jian Qing, Detailed Study of NBTI Characterization in 40-nm CMOS Process Using Comprehensive Models, Chin. Phys. B Vol.26, No. 10 (2017) 108503 (通訊作者)
8.鄭芳林,任佳琪,劉程晟,李小進*,石艷玲, &孫亞賓. (2017). 14 nm finfet柵圍寄生電容的建模與擬合.微電子學(05), 117-120. (通訊作者)
9.Yabin Sun,Xiaojin Li, Jinzhong Zhangand Yanling Shi,Improved high-frequency equivalent circuit model based on distributed effects for SiGe HBTs with CBE layout,Chin. Phys. BVol. 26, No. 9 (2017) 098502
10.Chengsheng Liu, Fanglin Zheng, Yabin Sun*, Xiaojin Li* and Yanling Shi, Highly Flexible SRAM Cells Based on Novel Tri-Independent-Gate FinFET, Superlattices and Microstructures (2017) 1-8 (通訊作者)
11.Chengsheng Liu, Fanglin Zheng, Yabin Sun*,Xiaojin Li*, Yanling Shi, Novel tri-independent-gate FinFET for multi-current modes control, Superlattices and Microstructures Vol.109 (2017) 374-381(通訊作者)
12.Fanglin Zheng, Chengsheng Liu, Jiaqi Ren, Yanling Shi, Yabin Sun,Xiaojin Li*, Analytical capacitance model for 14 nm FinFET considering dual-k spacer, Chin. Phys. B Vol. 26, No. 7 (2017) 077303 (通訊作者)
13.彭廣,李小進*,初建朋, et al.一種基於FPGA的雙接口NFC晶片驗證系統[J].微電子學與計算機, 2016, 33(3):125-128. (通訊作者)
14.Xiaojin Li*, Jian Qing, Yanling Wang, and Yanling Shi, Prediction of NBTI degradation in dynamic voltage frequency scaling operations, IEEE Transactions on Device & Material Reliability, 2016, vol. 16, No. 1 9-19. (第一作者)
15.Yanling Wang,Xiaojin Li*,Jian Qing, and Yanling Shi, Analytical parameter extraction for NBTI reaction diffusion and trapping/detrapping models,Microelectronics Reliability· June 2016, 66, 10-15. (通訊作者)
16.Xiaojin Li*, Linhui Lai, Ao Lei, Zongsheng Lai, A direct digital frequency synthesizer based on two segment forth-order parabolic approximation, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.55, No. 2, pp.322-326, May 2009 (第一作者)
17.Xiaojin Li*, Linhui Lai, Ao Lei, Zongsheng Lai, A Memory-Reduced direct digital frequency synthesizer for OFDM receiver systems, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.54, No. 4, pp.1564-1568, Nov. 2008 (第一作者)
18.Xiaojin Li*, Zongsheng Lai, Jianmin Cui, A low power and small area FFT processor for OFDM demodulator, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.53, No. 2, pp.322-326, May 2007 (第一作者)
19.Xiaojin Li*, Zongsheng Lai, A low complexity sign ML detector for symbol and frequency synchronization of OFDM systems, IEEE Transaction on Consumer Electronics, vol.52, No. 2, pp.317-320, May 2006 (第一作者)
專利
1.李小進等MOS器件偏壓溫度不穩定性退化的測試裝置及方法，2015.04.01，中國，CN201410681403.7
2.李小進等，一種MOS電晶體NBTI效應R-D模型參數提取方法，2016.07.13，中國，201610082271.5
3.李小進等，一種基於非均勻分布界面陷阱的NBTI退化模型獲取方法，2017.04.21，中國，201710266163.8
4.李小進等，一種基於反應-擴散理論的預測NBTI長時恢復的解析方法，2017.04.25，中國，201710277237.8
5.李小進等，一種直接數字頻率合成器，2012.10.31，中國，CN201110021234.0
6.李小進等，祝文韜，石艷玲，一種片上電感，2012.11.14.中國，CN201110042201.4
7.李小進等，告訴維特比解碼器倖存路徑管理模組，2011.6.29，中國，CN200710044107
8.李小進等，一種結構簡單的移動求和器，2009.05.06，中國，CN200610116410
9.李小進等，一種余正余旋信號擬合方法，2013.10.09，中國，ZL201110265645.4
10.李小進等，一種混合基2/4蝶形運算核，2011.4.13，中國，CN201010566454.7
11.李小進等，移動窗求和電路，2013.4.10，中國，2011100835962
12.賴琳暉，李小進等，一種直接數字頻率綜合器，2009.4.8，中國，CN200810202482.3
