高級工程師。男，1939年6月出生，山西大同人。
基本介紹
- 中文名：朱將岳
- 出生日期：1939年6月
- 職業：工程師
- 出生地：山西大同
簡介,經歷,
簡介
1965年畢業於天津南開大學物理系。1965年8月以來，任職於中國科學院半導體研究所新材料中心。主要業績：專業特長：晶體生長、材料物理、電子學及相關設備加工。參加工作後，合作從事區域熔化提純矽，完成了國家下達的多次區熔後，矽單晶電阻率、少數載流子壽命雙過千的單晶生長任務。後獨立開創了以下三方面的工作：從異質外延界面結合能考慮，提出藍寶石上異質外延矽（矽/藍寶石或SOS）的成核半徑小於矽/尖晶石，SOS薄膜的質量要高於矽l尖晶石，重新點起探討SOS異質外延的火花。接著校正了國內藍寶石的晶向相圖，繼之克服了藍寶石硬度大、難加工的困難，進行了切割、研磨、拋光，研製出適合製作SOS－CMOS的完美晶體表面，即原子面平的藍寶石表面。其後制訂了一套完整的切磨拋工藝以及檢測手段，使藍寶石切磨拋成為SOS加工工藝的成熟工序。同時，自加工了不鏽鋼硬接外延系統。從此，SOS研究組的研究走上正規。
經歷
80年代中期研製出適合製作SOS－CMOS器件研製的SOS薄膜，通過了所級鑑定。其後，中國科學院半導體研究所SOS－CMOS器件研究成為國內一項獨立的工藝體系，完成國家下達的長壽命衛星用CMOS積體電路、抗輻照加固CMOSISOS積體電路等，獲中國科學院科技進步二、三等獎。受材料室委託獨立設計並加工一台水平、常壓MOVPE設備，完成Gase單晶外延生長，通過了所級鑑定，被材料開放實驗室用於外延生長藍光GaN膜。負責承擔"八五"國家重大基金項目，設計加工一台低壓、超高真空兼用立式MOCVD設備，並用其研製出雙異質外延Si/γ-AI2O3/Si薄膜。退休前半導體所微電子中心用St/γ－AI2O3/Si薄膜研製出MOS單管和CMOS六倒相器電路。發表文章《藍寶石-矽和尖晶石-矽界面層寬度的俄歐分析》、《矽的位錯核心結構無懸掛鍵》、《γ-AI2O3/Si薄膜高真空MOCVD異質外延生長》、《半導體製冷恆溫浴槽》等。
