基本介紹
- 中文名:本徵載流子
- 外文名:Intrinsic carrier
- 釋義:本徵半導體中的載流子
- 學科:物理
本徵載流子,就是本徵半導體中的載流子(電子和空穴),即不是由摻雜所產生出來的載流子。...
本徵載流子濃度(Intrinsic carrier concentration)為本徵半導體材料中自由電子和自由空穴的平衡濃度,常用值為300K時的濃度值。本徵載流子濃度與溫度有關,同樣材質的...
在本徵半導體中只發生熱激發時,電子數目等於空穴數目,這時熱平衡載流子濃度為式中m0為電子質量,kg;mn*為電子有效質量,kg; mp*為空穴有效質量,kg;k為玻耳茲曼常數...
因為自由電子占多數,故稱它為多數載流子,簡稱“多子”;而空穴占少數,故稱它為少數載流子,簡稱“少子”。在本徵半導體矽(或鍺)中摻入少量的三價元素,如硼、鋁...
(1)本徵電導,也叫固有離子電導,是晶體點陣的離子由於熱振動而離開了晶格,形成熱缺陷。這種熱缺陷無淪是離子還是空位都是帶電的,都可作為離子電導載流子。...
但內建電場阻止N區中電子(多子)由右向左的擴散運動,卻可驅使N型區中的本徵載流子中空穴(少子)由右向左漂移運動,這一分析同樣適用於P型區。也就是說,多數...
帶隙是導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差,也稱能隙。帶隙越大,電子由價帶被激發到導帶越難,本徵載流子濃度就越低,電導率也就越低...
但“窄”的界限並不嚴格,一般把禁帶小於載流子室溫熱能(k T)的十倍,即小於0...發生電離而成為自由電子,這是碰撞電離本徵激發;這種本徵激發所需要的平均能量...
熔點525℃。為直接帶隙半導體,室溫禁頻寬度0.18eV,本徵載流子濃度1.1×1022/m3,本徵電阻率6×10-4Ω·m,較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s...
是載流子濃度的函式.隨著載流子濃度的增加,σ呈上升趨勢,而α則下跌,結果ασ只可能在一個特定的載流子濃度下達到最大(注:由熱激活產生的電子-空穴對本徵載流子,...
面正立方晶氯化白勺 }"_!結構.為直接帶隙半導體,但最小能隙不在布里淵中心區,室 溫禁頻寬度0.32eV,本徵載流子濃度1.5 x ll}=.'rn',fil"n"光的折 射...
零帶隙是指禁頻寬度為零。帶隙是導帶的最低點和價帶的最高點的能量之差,帶隙越大,電子由價帶被激發到導帶越難,本徵載流子濃度就越低,電導率也就越低。...
當P-N結受光照時,樣品對光子的本徵吸收和非本徵吸收都將產生光生載流子(電子-空穴對)。但能引起光伏效應的只能是本徵吸收所激發的少數載流子。因P區產生的光...