當有能量大于禁頻寬度的光子照射到半導體表面時,滿帶中的電子吸收這個能量,躍遷到導帶產生一個自由電子和自由空穴,這一過程稱為本徵激發。...
本徵載流子,就是本徵半導體中的載流子(電子和空穴),即不是由摻雜所產生出來的載流子。...
本徵半導體電的特點:本徵半導體有兩種載流子,即自由電子和空穴均參與導電。本徵激發:半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本徵激發。...
如果在半導體材料中某種載流子占大多數,導電中起到主要作用,則稱它為多子。反之,稱為少子。少子濃度主要由本徵激發決定,所以受溫度影響較大。...
而鍺本徵激發產生的自由電子濃度ni=2.5´1013/cm3,可見由雜質提供的自由電子濃度比本徵激發產生的自由電子濃度大10萬倍。由於自由電子的大量增加,使得電子與空穴...
半導體開始本徵激發起重要作用的溫度,也就是電阻率很快降低的溫度,該溫度往往就是所有以pn結作為工作基礎的半導體器件的最高工作溫度(因為在該溫度下,pn結即不再...
在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質,可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。製備雜質半導體...
如果是電場加速作用使得價電子受到高能量電子的碰撞、發生電離而成為自由電子,這是碰撞電離本徵激發;這種本徵激發所需要的平均能量大約為禁頻寬度的1.5倍。 (3)...
在高溫下這時本徵激發開始起作用,載流子濃度將指數式地很快增大,雖然遷移率仍然隨著溫度的升高而降低(晶格振動散射越來越強),但是這種遷移率降低的作用不如載流子濃度...
光吸收使半導體形成非平衡載流子,而載流子濃度的增大必須使樣品電導率增大,這種由光照引起半導體電導率增加的現象稱為光電導效應。本徵吸收引起電導稱為本徵光電導。....
只有當價電子躍遷到導帶(即本徵激發)而產生出自由電子和自由空穴後,才能夠導電。空穴實際上也就是價電子躍遷到導帶以後所留下的價鍵空位(一個空穴的運動就等效...
在一定的溫度條件下,由本徵激發決定的少子濃度是一定的,故少子形成的漂移電流是恆定的,基本上與所加反向電壓的大小無關,這個電流也稱為反向飽和電流。 [7] ...
因此,禁頻寬度的大小實際上是反映了價電子被束縛強弱程度的一個物理量,也就是產生本徵激發所需要的最小能量。作為載流子的電子和空穴,分別處於導帶和價帶之中;...
只有當價電子躍遷到導帶(即本徵激發)而產生出自由電子和自由空穴後,才能夠導電。空穴實際上也就是價電子躍遷到導帶以後所留下的價鍵空位(一個空穴的運動就等效...
(動能)大于禁頻寬度(實際上應該大於1.5倍禁頻寬度)、並與價鍵上的電子(即價帶中的價電子)相碰撞時,就可以產生本徵激發——產生出一個電子-空穴對,這就是碰撞...
PN結勢壘的高度也就是兩邊半導體的熱平衡Fermi能級之差;隨著半導體摻雜濃度的降低和溫度的提高,勢壘高度也將降低;在溫度高至本徵激發起作用時,勢壘高度即變為0。...
pn結勢壘的高度也就是兩邊半導體的熱平衡Fermi能級之差;隨著半導體摻雜濃度的降低和溫度的提高,勢壘高度也將降低;在溫度高至本徵激發起作用時,勢壘高度即變為0。...
①多數載流子主要由摻雜所提供的,則在室溫下,其濃度與溫度的關係不大(雜質全電離),而少數載流子主要由本徵激發所產生,則隨著溫度的升高將指數式增加;②能夠注入到...