本占地菇的菌床栽培方法

本發明提供一種本占地菇的菌床栽培方法，其中發芽步驟和/或子實體生長步驟是在高CO2濃度的環境條件下進行的。高CO2濃度的環境條件的例子包括：在發芽步驟中CO2濃度為2,500ppm或更高以及在子實體生長步驟中CO2濃度為5,000ppm或更高。

專利信息

	【申請日】	2009-11-27
【公開號】	CN101743855A	【公開日】	2010-06-23
【申請人】	寶生物工程株式會社	【地址】	日本滋賀縣
【發明人】	河合高志;橋本麻由;杉森武;日下部克彥;喜多昭彥;加藤郁之進
【專利代理機構】	北京天昊聯合智慧財產權代理有限公司 11112	【代理人】	丁業平;張天舒
【國省代碼】	JP
【頁數】	14
【主分類號】	A01G1/04
【專利分類號】	A01G1/04

實施方案

由於本發明的實施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率，因此可通過大規模的商業栽培來穩定地生產本占地菇。