晶體矽光伏器件的I-V實測特性的溫度和輻照度修正方法

晶體矽光伏器件的I-V實測特性的溫度和輻照度修正方法

《晶體矽光伏器件的I-V實測特性的溫度和輻照度修正方法》(Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices)是由工業和信息化部於1996年7月9日發布的行業標準,1997年1月1日起實施

基本介紹

  • 中文名:晶體矽光伏器件的I-V實測特性的溫度和輻照度修正方法
  • 發布日期:1996-7-9
  • 標準號 :GB/T 6495.4-1996
  • 實施日期  :1997-1-1
基本信息,標準簡介,

基本信息

標準號 StandardNo: GB/T 6495.4-1996
首次發布日期 FirstIssuance Date: 1986-6-18
標準狀態 StandardState: 現行
複審確認日期 ReviewAffirmance Date: 2004-10-14
計畫編號 Plan No:
代替國標號 ReplacedStandard: GB 6493-1986,GB 6495-1986
被代替國標號 ReplacedStandard:
廢止時間 RevocatoryDate:
採用國際標準號 AdoptedInternational Standard No: IEC 891:1987
采標名稱 AdoptedInternational Standard Name:
採用程度 ApplicationDegree: IDT
採用國際標準 AdoptedInternational Standard: IEC
國際標準分類號(ICS): 29.220.99
中國標準分類號(CCS): K83
標準類別 StandardSort: 產品
標準頁碼 Number ofPages: 9
標準價格(元) Price(¥): 10
主管部門 Governor: 工業和信息化部(電子)
歸口單位 TechnicalCommittees: 全國太陽光伏能源系統標準化技術委員會
起草單位 DraftingCommittee: 西安交通大學

標準簡介

本標準規定了作溫度和輻照度修正應遵循的方法,僅適用於修正晶體矽光伏器件的實測I—V特性。本標準規定了晶體矽光伏器件的I—V實測特性的溫度和輻照度修正方法,包括測定溫度係數、內部串聯電阻和曲線修正係數。這些方法在測試所用輻照度的±30%範圍內都能適用。

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