《晶片外圍反熔絲預修調電路及其修調方法》是泉芯電子技術（深圳）有限公司於2021.03.23申請的專利，該專利的公布號為：CN112702055B，專利公布日：2021.06.15，發明人是：毛曉峰; 黃朝剛; 李劍。
基本介紹
- 中文名：晶片外圍反熔絲預修調電路及其修調方法
- 授權公告號：CN112702055B
- 授權公告日：2021.06.15
- 申請號：2021103046454
- 申請日：2021.03.23
- 專利權人：泉芯電子技術（深圳）有限公司
- 地址：518000廣東省深圳市南山區南頭關口二路智恆產業園22棟4樓
- 發明人：毛曉峰; 黃朝剛; 李劍
- Int. Cl.：H03K19/00(2006.01)I; H03K19/094(2006.01)I; G05F1/56(2006.01)I
- 專利代理機構：深圳市惠邦智慧財產權代理事務所44271
- 代理人：滿群
對比檔案,專利摘要,
對比檔案
CN 107528576 A,2017.12.29; CN 110504001 A,2019.11.26; CN 106128508 A,2016.11.16; US 20200293837 A1,2020.09.17; CN 107994894 A,2018.05.04; CN 105790736 A,2016.07.20張鵬輝等.熔絲類電路的修調探索.《電子與封裝》.2010,第10卷(第4期),
專利摘要
本發明涉及晶片外圍反熔絲預修調電路及其修調方法。修調方法包括：根據熔燒前測試的電參數初始值和電參數目標值用公式計算粗略預修調值，轉換得粗略預修調的反熔絲組合；根據粗略預修調反熔絲組合對反熔絲進行粗略虛擬熔燒並測試出粗略電參數值；用設計的電參數的修調步長和粗略電參數值以及電參數目標值計算出預修調值偏差；根據預修調值偏差確定精準預修調範圍，按精準預修調範圍內的每個反熔絲修調組合對反熔絲進行虛擬熔燒並測試出對應的電參數預修調值，當在某個反熔絲組合下，測試到的電參數值和目標值最接近時，得到精準反熔絲組合；按照精準反熔絲組合對反熔絲進行熔燒，測試驗證電參數最終值和目標值之間的誤差是否滿足要求。
