《晶態SiC薄膜的製備及其光學性質的研究》是依託中國科學技術大學，由湯洪高擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：晶態SiC薄膜的製備及其光學性質的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：湯洪高
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：59372107
- 研究期限：1994-01-01 至 1997-12-31
- 申請代碼：E0207
- 支持經費：7（萬元）
中文摘要
用脈衝雷射澱積和磁控濺射澱積、離子注入等方法製備出晶態碳化矽薄膜。研究了晶態碳化矽多型體之間的轉變及轉變條件的控制，由此製備出單一晶型的4H碳化矽薄膜。進一步改善工藝條件，初步製備出單晶4H碳化矽薄膜。同時用各種現代分析方法研究了晶態碳化矽薄膜的晶體結構、顯微結構、化學組成、化學態等與製備條件的關係。據此最佳化了工藝參數。同時給出了一系列精確的實驗數據。研究了晶態SiC薄膜的光學性質。對具有擇優取向的晶態SiC薄膜，實現了430nm的藍光發射。其發射歸屬於4H-SiC電子躍遷的機制。單晶4H-SiC薄膜在377nm和560nm產生光發射。377nm為4H-SiC帶間躍遷複合發光，560nm為激子複合發光。證明膜純度很高。通過摻雜可獲寬廣頻段的發光。
