基本介紹
- 中文名:晶圓返工
- 外文名:rework
隨著超淺結(ultra-shallowjunctions)、三維結構(3Dstructures)、高遷移率通道(high-mobilitychannels)等在器件中的廣泛套用,對清洗工藝的要求越來越高。錯誤的清洗工藝會導致位於表面下幾十納米處器件性能參數的漂移。
返工浪費材料、降低光刻設備的有效產能,還可能導致襯底損傷和器件良率的降低,因此,必須避免。對晶圓返工原因的分析,可以幫助光刻工程師發現光刻工藝中的問題,提出改進目標。
光刻工藝完成後,當晶圓上的光刻膠圖形不符合要求時,使用化學方法可以把晶圓表面的光刻膠清除掉,然後重新塗膠、曝光,這個過程被稱為晶圓返工(rework)。不符合要求的晶圓能夠被返工是光刻工藝的一大特色。即使是符合要求的光刻...
因此,在利用掩模曝光後,通常會利用集成掩模探測系統(Integrated Reticle Inspection System, IRIS)對掩模版進行檢測,如果發現掩模版上存在超出規格的粉塵顆粒,則處於光刻製程中的晶圓將會全部被返工。Fab中對掩模缺陷的檢測分為線上和離線...
如果測量值大於USL或小於LSL,該晶圓的光刻工藝是失敗的,必須返工。USL/LSL是根據工藝集成的要求制定的,通常記錄在工藝假設檔案中。SPC圖中還設有控制上下限(Upper/Lower Control Limit, UCL/LCL),它們起到一個警告作用。當測量值...
第9章晶圓返工與光刻膠的清除 第10章雙重和多重光刻技術 第11章極紫外(EUV)光刻技術 中英文光刻術語對照 彩圖 作者簡介 2013年 – 至今: 中國科學院微電子研究所研究員、博士生導師;國家科技重大專項“300mm晶圓勻膠顯影設備”...
微型SMD是一種晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP),它有如下特點:⒈ 封裝尺寸與裸片尺寸大小一致;⒉ 最小的I/O管腳;⒊ 無需底部填充材料;⒋ 連線間距為0.5mm;⒌ 在晶片與PCB間無需轉接板(interposer)。注意事項 表面貼裝注意事項:a...