《普通高等教育"十一五"國家級規劃教材:集成電子技術基礎教程(上冊)(第2版)》為普通高等教育“十一五”國家級規劃教材。在原面向21世紀課程教材——《集成電子技術基礎教程》（鄭家龍，王小海，章安元主編）的基礎上，結合多年來對教材結構、教學內容、教學方法和教學手段改革的實踐經驗，按照“教育部電子電氣基礎課程教學指導分委員會”制訂的教學基本要求修訂而成。修訂後的教材繼續保留原教材“模數”緊密結合的特點，結構上分為4篇。全書包含一、二兩篇。第一篇為電子器件基礎，內容包括電子器件的特性與模型、半導體器件的工作機理等兩章。第二篇為模擬電子電路，共有8章，內容包括：放大電路分析入門、放大電路動態分析、集成運算放大器、負反饋放大電路、放大電路的頻率回響與穩定性分析、正弦波發生電路、功率變換電路、模擬信號處理電路等。
基本介紹
- 書名：普通高等教育十一五國家級規劃教材:集成電子技術基礎教程
- 出版社：高等教育出版社
- 頁數：423頁
- 開本：16
- 定價：39.90
- 作者：鄭家龍 陳隆道
- 出版日期：2008年6月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：9787040239508
- 品牌：高等教育出版社
內容簡介,圖書目錄,文摘,
內容簡介
《普通高等教育"十一五"國家級規劃教材:集成電子技術基礎教程(上冊)(第2版)》可作為高等學校電氣信息類、機電類專業電子技術基礎課程教材，也可供遠程教育、成人和職業教育相關專業選用。
圖書目錄
第一篇電子器件基礎
本篇導讀
第1章電子器件的特性與模型
1.1.1常用電路元件的伏安特性
1.1.2半導體二極體的伏安特性及其模型
1.1.3穩壓二極體的伏安特性及其模型
1.1.4雙極型三極體的伏安特性及其模型
1.1.5場效應管的伏安特性及其模型
習題
第2章半導體器件的工作機理
1.2.1半導體材料與PN結
1.2.2半導體二極體
1.2.3特種二極體
1.2.4雙極型三極體
1.2.5場效應管
1.2.6積體電路中的電子器件
1.2.7半導體器件的製造工藝簡介
習題
第二篇模擬電子電路
本篇導讀
第1章放大電路分析入門
2.1.1怎樣分析交直流共存的放大電路
2.1.2放大電路中等效輸入、輸出內阻的計算
2.1.3基本放大電路的組成及其靜態分析
習題
第2章放大電路動態分析
2.2.1放大電路的動態性能指標
2.2.2三極體的低頻小信號模型
2.2.3基本放大電路的動態分析
2.2.4多級放大電路
習題
第3章集成運算放大器
2.3.1集成運算放大器概述
2.3.2集成運放中的電流源偏置電路
2.3.3差分放大電路
2.3.4集成運放的中間級和輸出級
2.3.5集成運放的主要性能指標
習題
第4章負反饋放大電路
2.4.1反饋的基本概念與分類
2.4.2負反饋對放大電路性能的影響
2.4.3集成運放構成的負反饋電路
2.4.4分立元件構成的負反饋電路
習題
第5章放大電路的頻率回響與穩定性分析
2.5.1頻率回響概述
2.5.2三極體的高頻小信號模型
2.5.3放大電路的分頻段分析法
2.5.4多級放大電路和集成運放的頻率回響
2.5.5負反饋放大電路的穩定性
習題
第6章正弦波發生電路
2.6.1產生正弦振盪的條件
2.6.2RC正弦波振盪器
2.6.3LC正弦波振盪器
2.6.4石英晶體振盪器
習題
第7章功率變換電路
2.7.1功率放大電路的特點和基本類型
2.7.2功率放大電路的分析計算
2.7.3集成功率放大器
2.7.4整流、濾波、穩壓電路
2.7.5線性集成穩壓電源
習題
第8章模擬信號處理電路
2.8.1信號處理電路概述
2.8.2儀用放大器
2.8.3有源濾波器
2.8.4模擬乘法器
2.8.5在系統可程式模擬電路（isp PAc）
習題
名詞術語漢英對照
部分習題答案
參考文獻
本篇導讀
第1章電子器件的特性與模型
1.1.1常用電路元件的伏安特性
1.1.2半導體二極體的伏安特性及其模型
1.1.3穩壓二極體的伏安特性及其模型
1.1.4雙極型三極體的伏安特性及其模型
1.1.5場效應管的伏安特性及其模型
習題
第2章半導體器件的工作機理
1.2.1半導體材料與PN結
1.2.2半導體二極體
1.2.3特種二極體
1.2.4雙極型三極體
1.2.5場效應管
1.2.6積體電路中的電子器件
1.2.7半導體器件的製造工藝簡介
習題
第二篇模擬電子電路
本篇導讀
第1章放大電路分析入門
2.1.1怎樣分析交直流共存的放大電路
2.1.2放大電路中等效輸入、輸出內阻的計算
2.1.3基本放大電路的組成及其靜態分析
習題
第2章放大電路動態分析
2.2.1放大電路的動態性能指標
2.2.2三極體的低頻小信號模型
2.2.3基本放大電路的動態分析
2.2.4多級放大電路
習題
第3章集成運算放大器
2.3.1集成運算放大器概述
2.3.2集成運放中的電流源偏置電路
2.3.3差分放大電路
2.3.4集成運放的中間級和輸出級
2.3.5集成運放的主要性能指標
習題
第4章負反饋放大電路
2.4.1反饋的基本概念與分類
2.4.2負反饋對放大電路性能的影響
2.4.3集成運放構成的負反饋電路
2.4.4分立元件構成的負反饋電路
習題
第5章放大電路的頻率回響與穩定性分析
2.5.1頻率回響概述
2.5.2三極體的高頻小信號模型
2.5.3放大電路的分頻段分析法
2.5.4多級放大電路和集成運放的頻率回響
2.5.5負反饋放大電路的穩定性
習題
第6章正弦波發生電路
2.6.1產生正弦振盪的條件
2.6.2RC正弦波振盪器
2.6.3LC正弦波振盪器
2.6.4石英晶體振盪器
習題
第7章功率變換電路
2.7.1功率放大電路的特點和基本類型
2.7.2功率放大電路的分析計算
2.7.3集成功率放大器
2.7.4整流、濾波、穩壓電路
2.7.5線性集成穩壓電源
習題
第8章模擬信號處理電路
2.8.1信號處理電路概述
2.8.2儀用放大器
2.8.3有源濾波器
2.8.4模擬乘法器
2.8.5在系統可程式模擬電路（isp PAc）
習題
名詞術語漢英對照
部分習題答案
參考文獻
文摘
著作權頁：
插圖：
電子技術發展到了今天這樣的水平，首先要歸功於半導體材料的發現和半導體器件的發明及其製造工藝的不斷完善。無論是製造單個半導體器件，還是製造大規模積體電路，都需要用半導體材料作為晶片，並且都以PN結作為器件的核心。因此，在學習半導體器件之前，應當對半導體材料的基本性質和PN結的工作機理有一定的了解，這將有助於對半導體器件外部特性的理解。
一、半導體的導電特性
半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，它的電阻率為10—3～10—9Ω·cm。在自然界中，屬於半導體的材料很多，而用來製造半導體器件的材料主要是矽（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。矽和鍺都是四價元素，其中以矽用得最廣泛，在以後的討論中，常以矽作為例子。
1.本徵半導體
作為半導體器件的材料，必須首先經過高純度的提煉，這種不含雜質的半導體，稱為本徵半導體。純淨的單晶矽稱為本徵矽。為了了解半導體的導電性能，需要從其原子結構講起。本徵矽的原子結構如圖1.2.1（a）所示，其最外層軌道上有4個電子，它受原子核的束縛力最小，稱為價電子。元素的化學性質是由這些價電子決定的，其導電性能也與價電子有關。因此，價電子成為關注的對象。為了便於討論，常採用圖1.2.1（b）所示的簡化模型。圖中，代表原子核和除價電子外的內層電子所組成的慣性核的電荷。
矽製成單晶後，它的原子都按一定的規律整齊地排列著，原子之間靠得很近，價電子不僅受到自身原子核的吸引，而且還受到相鄰原子核的作用，使價電子為兩個相鄰原子所共有，形成了晶體中的共價鍵結構，其示意圖如圖1.2.2所示。每個原子都有4個價電子，通過共價鍵結構與相鄰4個原子結合在一起，形成排列整齊的晶體。
在熱力學溫度零度和無外界能量激發的條件下，由於價電子被共價鍵束縛著，不存在自由運動的電子，所以半導體呈現絕緣體的特性。但在常溫下或受到光照時，某些共價鍵中的價電子從外界獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛而成為帶負電荷的自由電子。同時，在共價鍵中留下了空位，它因失去電子而帶正電荷（電量與電子電荷相等，但符號相反），常稱之為空穴。這種現象稱為本徵激發（即熱激發），如圖1.2.2所示。自由電子和空穴總是成對地出現，常稱之為電子一空穴對。
插圖：
電子技術發展到了今天這樣的水平，首先要歸功於半導體材料的發現和半導體器件的發明及其製造工藝的不斷完善。無論是製造單個半導體器件，還是製造大規模積體電路，都需要用半導體材料作為晶片，並且都以PN結作為器件的核心。因此，在學習半導體器件之前，應當對半導體材料的基本性質和PN結的工作機理有一定的了解，這將有助於對半導體器件外部特性的理解。
一、半導體的導電特性
半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，它的電阻率為10—3～10—9Ω·cm。在自然界中，屬於半導體的材料很多，而用來製造半導體器件的材料主要是矽（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等。矽和鍺都是四價元素，其中以矽用得最廣泛，在以後的討論中，常以矽作為例子。
1.本徵半導體
作為半導體器件的材料，必須首先經過高純度的提煉，這種不含雜質的半導體，稱為本徵半導體。純淨的單晶矽稱為本徵矽。為了了解半導體的導電性能，需要從其原子結構講起。本徵矽的原子結構如圖1.2.1（a）所示，其最外層軌道上有4個電子，它受原子核的束縛力最小，稱為價電子。元素的化學性質是由這些價電子決定的，其導電性能也與價電子有關。因此，價電子成為關注的對象。為了便於討論，常採用圖1.2.1（b）所示的簡化模型。圖中，代表原子核和除價電子外的內層電子所組成的慣性核的電荷。
矽製成單晶後，它的原子都按一定的規律整齊地排列著，原子之間靠得很近，價電子不僅受到自身原子核的吸引，而且還受到相鄰原子核的作用，使價電子為兩個相鄰原子所共有，形成了晶體中的共價鍵結構，其示意圖如圖1.2.2所示。每個原子都有4個價電子，通過共價鍵結構與相鄰4個原子結合在一起，形成排列整齊的晶體。
在熱力學溫度零度和無外界能量激發的條件下，由於價電子被共價鍵束縛著，不存在自由運動的電子，所以半導體呈現絕緣體的特性。但在常溫下或受到光照時，某些共價鍵中的價電子從外界獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛而成為帶負電荷的自由電子。同時，在共價鍵中留下了空位，它因失去電子而帶正電荷（電量與電子電荷相等，但符號相反），常稱之為空穴。這種現象稱為本徵激發（即熱激發），如圖1.2.2所示。自由電子和空穴總是成對地出現，常稱之為電子一空穴對。
