普克爾效應又稱線性電光效應。電光效應的一種。物質折射率的改變與外加電場成比例地變化。感生相移弧度△Φ=2πn0rV/λ(縱效應),式中n0為正常折射率,r為材料的電光常數;V為電壓,λ為波長。一般非中心對稱的晶體都有線性電光效應,常用的材料有磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鉭酸鋰、鈮酸蝕、鈮酸鋇鈉等。利用普克爾效應可製成高速電光開關、光束偏轉器,及高速攝影的電光快門等。
基本介紹
- 中文名:普克爾效應
- 所屬學科:攝影學
普克爾效應又稱線性電光效應。電光效應的一種。物質折射率的改變與外加電場成比例地變化。感生相移弧度△Φ=2πn0rV/λ(縱效應),式中n0為正常折射率,r為材料的電光常數;V為電壓,λ為波長。一般非中心對稱的晶體都有線性電光效應,常用的材料有磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鉭酸鋰、鈮酸蝕、鈮酸鋇鈉等。利用普克爾效應可製成高速電光開關、光束偏轉器,及高速攝影的電光快門等。
普克爾效應又稱線性電光效應。電光效應的一種。物質折射率的改變與外加電場成比例地變化。感生相移弧度△Φ=2πn03rV/λ(縱效應),式中n0為正常折射率,r為材料的電光常數;V為電壓,λ為波長。一般非中心對稱的晶體都有線...
克爾是著名的數學教授,但他對物理學的研究卻卓有建樹,他在格拉斯哥大學任教長達54年之久,他同德國物理學家普克爾斯(F·pockels)分別於1875年和1893年發現了兩種不同的光電效應,故稱克爾效應和普克爾效應。光電克爾效應是一種介質的折射率在外電場的作用下發生變化的現象,光在各向同性介質中行進或在或在壓...
也稱為二次電光(QEO)效應的克爾效應是材料回響於所施加的電場的折射率的變化。 克爾效應與普克爾效應不同,因為誘導的指數變化與電場的平方成正比,而不是線性變化。 所有材料顯示克爾效應,但某些液體比其他液體顯示更強烈。 克爾效應於1875年被蘇格蘭物理學家約翰·克爾(John Kerr)發現。通常考慮克爾效應的...
克爾盒(Kerr cell)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。簡介 有些非晶體或液體,在強大電場的作用下,顯示出雙折射現象,是克爾(J·Kerr)首次發現的,因此稱為克爾效應(Kerr effect)。這些物質的分子在電場中要沿電場方向作定向排列,因而獲得類似晶體的各向異性的特性。它的光軸沿著電場強度...
由一次項aE0引起折射率變化的效應,稱為一次電光效應,也稱線性電光效應或普克爾(Pokells)效應;由二次項bE02引起折射率變化的效應,稱為二次電光效應,也稱平方電光效應或克爾(Kerr)效應。一次電光效應只存在於不具有對稱中心的晶體中,二次電光效應則可能存在於任何物質中,一次效應要比二次效應顯著。光在各向...
電光效應就是晶體折射率隨外加電場而發生變化的現象。其中折射率與外電場成正比的改變稱為線性電光效應或普克爾(Pockels)效應;與外電場的二次方成正比的改變稱為二次電光效應或克爾(Kerr)效應。儘管在電場作用下,電光效應晶體的折射率一般變化不大,但已經足以引起光在晶體中傳播的特性發生改變,從而可以通過外場...
Si基光調製器是藉助於Si晶體的電光效應而實現調製的。對於Si這樣的材料來說,由於晶體的對稱性,非線性電光普克爾效應發生在未應變的純Si中,在半導體材料中,增大電光相互作用的最好方法:一種是熱光效應;另一種是載流子注入。雙輸出電光強度調製器 雙輸出電光強度調製器一般採用M-Z型結構,其調製原理與M-Z干涉...
在再生放大器中, 腔內的普克爾盒開關把展寬的種子脈衝注入腔內; 當這個脈衝在腔內經過多次往復放大而吸收了增益介質內儲存的絕大部分能量, 使自己的能量達到最大值後, 被普克爾盒開關逐出腔外, 這种放大器的能量放大倍數可達 6 個數量級。掣波脈衝放大技術最早被用於雷達, 後被用到染料鎖模雷射器的放大, 只是...
2007 年德國斯圖加特大學 Adolf Giesen 和 Christian Stolzenburg 將 BBO 晶體製作的普克爾盒用於 Yb:YAG 薄片雷射器結構中,運轉重頻 100kHz 時,其輸出平均功率為208W,脈衝寬度為 350ns。在重頻50kHz時,其倍頻綠光輸出平均功率可以達到102W。2009年 rumpf Laser研究小組利用腔倒空技術實現Yb:YAG薄片雷射器脈衝...
光電子學意味具有電和光功能的器件或線路。即薄膜半導體器件。電光項目使用較早,特別圍繞非線性電光相互作用的套用,即如普克爾盒的晶體調製器,但也包括圖像感測器。新領域 光子科學和新出現的量子信息科學有關。量子信息用光子科學的方法。其它新學科包括光-原子學,它的器件兼有光和原子的器件,它們用精確報時,...
提出了分時分迴路驅動方法,解決了反射鏡小電容分壓、電阻限流難題,實現了普克爾盒的低電壓、快回響驅動。成功研製了30mm口徑重頻光開關實驗樣機,實驗結果表明:靜態消光比優於30dB、開關效率≥99.5%,驅動電壓10.5 kV,上升時間為6.5ns,35W/cm2平均功率密度雷射負載下,熱退偏為0.95%、熱致波前畸變小於0....
914nm泵浦Nd:YVO4和885nm泵浦Nd:YAG,高功率、高效率、高光束質量調Q雷射器實驗研究;888nm、914nm泵浦Nd:YVO4和885nm泵浦Nd:YAG,百kHz高功率、高效率、高光束質量再生放大器實驗研究;888nm泵浦Nd:YVO4 MHz大能量腔倒空SESAM鎖模雷射器實驗研究;以及高重頻再生放大器和高重頻腔倒空鎖模雷射器關鍵器件—普克爾...