又稱L-H機理。一種以表面反應為控制步驟，以兩個吸附著的分子進行表面反應的多相催化機理。即兩個反應物先吸附在固體催化劑上，在表面上反應，產物再脫附。表面反應為控制步驟，吸附與脫附速度遠大於表面反應速度。反應速度與兩個反應物在催化劑表面上的覆蓋度成正比。 基本介紹 中文名：朗格繆爾-欣謝爾伍德機理外文名：Langmuir-Hinshelwood mechanism簡稱：L-H機理類型：一種機理對象：反應物 這是反應物通過吸附在催化劑表面臨近活性部位上而後進行結合的一種機理。大多數表面反應認為是按這一方式進行的，簡稱L-H機理。例
