《新結構高壓高速LIGBT中勢壘控制背注入研究》是依託電子科技大學,由方健擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新結構高壓高速LIGBT中勢壘控制背注入研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：方健
- 批准號：60876053
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：12（萬元）
項目摘要
緣柵雙極型電晶體IGBT是當今主流功率器件。它存在開關速度慢的問題，故尋求提高開關速度的有效原理，是迄今尚待更好解決的基本學術問題。.本項目旨在研究提高IGBT開關速度的有效原理及方法。1.首次提出了勢壘空制背注入原理. 即控制陽極結處的電子勢壘高度, 使在正嚮導通時呈高勢壘，抑制電子背注入; 在器件關斷瞬間呈低勢壘, 增強電子背注入, 加速基區非平衡電子抽出, 以獲得高速關斷特性。2.首次提出了勢壘控制結構高速橫向器件（BC-LIGBT）。 它與常規LIGBT器件相比, 關斷速度可以提高50%,解決了IGBT器件開關速度慢的關鍵問題；3. 首次建立勢壘控制結構高速橫向BC-LIGBT的穩態和瞬態解析模型。 .該研究在原理、器件結構和器件模型上均為前瞻性創新，新結構橫向IGBT器件的開關速度和正向壓降遠優於現有結構。本項目是一項前沿性、基礎性研究,對功率器件及理論的發展有重要學術意義。
