新施主缺陷指含氧直拉矽單晶，經550~800℃熱處理形成的與氧雜質相關，具有施主性質的缺陷。
| 中文名稱 | 新施主缺陷 |
| 英文名稱 | new donor defect，ND defect |
| 定 義 | 含氧直拉矽單晶，經550~800℃熱處理形成的與氧雜質相關、具有施主性質的缺陷。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |
套用學科：材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科）
新施主缺陷指含氧直拉矽單晶，經550~800℃熱處理形成的與氧雜質相關，具有施主性質的缺陷。
| 中文名稱 | 新施主缺陷 |
| 英文名稱 | new donor defect，ND defect |
| 定 義 | 含氧直拉矽單晶，經550~800℃熱處理形成的與氧雜質相關、具有施主性質的缺陷。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），總論（三級學科） |