《新型有源定址面陣探測器的研究》是依託南開大學，由熊紹珍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型有源定址面陣探測器的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：熊紹珍
- 依託單位：南開大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0502
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 批准號：69577011
- 支持經費：8（萬元）
中文摘要
採用改善了的a-si TFT/PIN耦合對等效電路模型及數值模擬計算方法對其進行了理論模擬計算與分析，得出影響有源探測單元各部分材料性能與器件結構的相關參數，有力地指導了器件設計思路並用AUTO CAD進行了版圖設計。通過對TFT內重要界面的H處理、採用AL：Ti合金柵及AL2O3/SiN雙柵絕緣層結構，低電導激活能和離電導率的Mo：Si合金層作內聯導電薄膜材料、雙結PIN結構、低溫固化PI作a-si TFT 和PIN之間的隔離層等系列由理論設計到工藝的研究，使a-siTFT的開關比（Ion/Ioff）達10（8），遷移率達0.87cm2/vs，為當前國際文獻發據相當水平。並使a-Si PIN光敏探測元和a-Si TFT的均勻性分別達±2%及±3%。經測試滿足探測速度要求。
