《新型單晶納米矽薄膜及其場發射效應研究》是依託華東師範大學，由朱自強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型單晶納米矽薄膜及其場發射效應研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：朱自強
- 依託單位：華東師範大學
- 批准號：10374027
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 支持經費：8（萬元）
- 研究期限：2004-01-01 至 2004-12-31
項目摘要
納米矽顆粒具有高量子效率和熱穩定性，在電子、光學、生物等領域有著廣闊的套用前景。本研究在國際上首次用電化學陽極腐蝕方法直接在矽片上製備了粒徑形狀可控，均勻、厚度可調的大面積單晶納米矽薄膜並成功地觀察到矽納米薄膜材料場發射效應。其開啟電場與碳納米管相當，在真空微電子領域具有潛在的套用前景。本項目將進一步深入研究這種納米結構材料的形成機理、物理特性及其具有優良場發射性能的原因，充分顯示其作為場發射陰極
