《新型半導體基帶隙結構毫米波集成振盪器關鍵技術研究》是依託杭州電子科技大學，由程知群擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型半導體基帶隙結構毫米波集成振盪器關鍵技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：程知群
- 依託單位：杭州電子科技大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60476035
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：F0404
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
本項目主要研究一種新型缺陷帶隙結構，採用FDTD方法建立二維DBG(default band-gap structure)等效電路模型，並將其模型參數嵌入到積體電路設計軟體ADS中，對DBG結構的毫米波傳輸線、濾波匹配電路進行場和路的分析。同時，採用微電子工藝技術完成具有新型DBG結構的毫米波集成振盪器電路，達到抑制振盪器輸出雜波、提高輸出功率、降低相位噪聲的目的，並將研究成果套用在毫米波晶片集成雷達中，提高集成雷達整機性能。
