在積體電路設計版圖中的稀疏圖形周圍添加一些細小的圖形，使稀疏圖形在光學角度上看像密集圖形，這些細小圖形必須小於光刻機解析度，曝光時，這些圖形只對光線其散射作用，而不會被轉移到光刻膠上，因此被稱之為亞解析度輔助圖形或散射條（Scattering Bar）。
基本介紹
- 中文名：亞解析度輔助圖形
- 外文名：Sub-Resolution Assistant Feature
- 英文縮寫：SRAF
在積體電路設計版圖中的稀疏圖形周圍添加一些細小的圖形，使稀疏圖形在光學角度上看像密集圖形，這些細小圖形必須小於光刻機解析度，曝光時，這些圖形只對光線其散射作用，而不會被轉移到光刻膠上，因此被稱之為亞解析度輔助圖形或散射條（Scattering Bar）。
一個設計中通常既有密集分布的圖形（如1：1等間距的線條），也有稀疏的圖形（如獨立的線條），特別是邏輯器件的設計，具有更大的任意性。理論和實驗結果都清楚地表明，密集分布圖形的光刻工藝視窗與稀疏圖形的光刻工藝視窗是不一樣的，這就導致了共同的工藝視窗偏小。適用於密集圖形曝光的光照條件並不適合稀疏圖形的曝光。為減少積體電路版圖中因圖形密度不同引起的工藝差異，在掩模圖形中圖形比較稀疏的周圍區域插入亞解析度圖形，提高焦深和工藝視窗均勻性的方法。所插入的圖形尺寸小於光刻系統成像解析度，是一些平行於掩模圖形的細長方形線條，本身在曝光時不會形成光刻圖形，但又對附近的掩模圖形光刻成像光強分布產生影響。與光學鄰近效應校正類似，插入亞解析度輔助圖形也分為基於經驗規則的輔助圖形（rule-based SRAF）和基於計算模型的輔助圖形（model-based SRAF）。插入在稀疏的線條中間的亞解析度輔助圖形也稱散射條（Scattering Bar，SB）。亞解析度輔助圖形最早於90nm 節點時被引入，幾乎和基於模型的OPC同時引入。
隨著特徵尺寸的減小，基於經驗規則的輔助圖形中的規則已經無法滿足設計圖形複雜環境的需求，越來越多的基於模型的輔助圖形技術開始出現。該技術在模型中將亞解析度輔助圖形的尺寸及插入位置設為可變參數，計算出主圖形成像結果的圖像對數斜率，然後不斷調整參數，甚至獲取主圖形最大的圖像對數斜率值。
