擬乳己糖神經醯胺是隨著ULSI技術的不斷向前發展，對半導體矽的表面性質要求也越來越嚴格。而且電路的集成度日益提高，單元圖形的尺寸日益微化，污染物對器件的影響也愈加突出，以至於潔淨表面的製備已成為製作64M和256MbyteDRAM的關鍵技術[1,2]。此外有超過50%成品損失率是由矽表面的污染所造成的。
擬乳己糖神經醯胺矽片上的雜質一般可分為三種：分子型、離子型和原子型。這裡主要探討原子型雜質。原子型雜質主要是指過渡金屬或貴金屬原子（如Au、Ag、Cu等），它們主要來自於矽的酸性刻蝕劑中。原子型雜質主要影響器件中少子壽命、表面的導電性、門氧化物的完整性和其它器件穩定性參數等，特別在高溫或電場下，它們能夠向半導體結構的本體擴散或在表面擴大分布，導致器件性能下降，產率降低。在工業上，矽表面清洗分為乾法和濕法清洗兩種，前者是物理方法，後者是化學方法。目前濕法清洗一直占主導地位，因為它對雜質和基體選擇性好，可將雜質清洗至非常低的水平。本文綜述了幾種典型金屬在濕法清洗過程中對矽片表面產生的金屬微觀污染和所涉及的機理研究進展，並討論了今後該領域的研究方向。
擬乳己糖神經醯胺
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