《摻錳InGaN稀磁與中間帶半導體薄膜的製備與特性》是依託大連理工大學,由秦福文擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：摻錳InGaN稀磁與中間帶半導體薄膜的製備與特性
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：秦福文
- 批准號：60976006
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2010-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
摻錳InGaN材料兼具稀磁半導體和中間帶半導體特性，可分別用於製備自旋電子器件和第三代高效太陽能電池等器件。低溫生長是製備高質量摻錳InGaN材料的關鍵技術。本項目採用電子迴旋共振－電漿增強金屬有機物化學氣相沉積（ECR-PEMOCVD）低溫生長方法，分別以氮電漿和金屬有機源為氮源和金屬源，以藍寶石、玻璃等為襯底，藉助於多種測試分析手段，研究以InGaN半導體材料為基體，以Mn為磁性元素的InGaN稀磁半導體和中間帶半導體薄膜的低溫生長和磁光電等特性，以期獲得高In組分和含有高濃度Mn磁性離子的InGaN薄膜，不僅要獲得在室溫下具有鐵磁性的摻錳InGaN稀磁半導體材料，也要獲得具有優良光電特性的摻錳InGaN中間帶半導體材料。為將來研製開發新型的自旋電子器件和中間帶高效太陽能電池等器件奠定基礎。
