摻稀土釩酸鹽雷射單晶元件通用技術條件及測試方法

摻稀土釩酸鹽雷射單晶元件通用技術條件及測試方法中國國家標準化基本信息項目編號Plan Name in Chinese 20090810-T-609中文項目名稱Plan Name in Chinese 摻稀土釩酸鹽雷射單晶元件通用技術條件及測試方法英文項目名稱Plan Name in English General technical condition and measuring method of rare erath-doped vanadate laser crystals devices制\修訂Plan Name in English 制定被修訂標準號Replaced Standard 採用國際標準Adopted International Standard 採用國際標準號Adopted International Standard No

基本介紹

• 中文名：摻稀土釩酸鹽雷射單晶元件通用技術條件及測試方法
• 外文名：General technical condition and measuring method of rare erath-doped vanadate laser crystals devices
• 項目編號：20090810-T-609
• 計畫完成年限：2011年

基本信息

項目編號Plan Name in Chinese 20090810-T-609

中國國家標準化管理委員會

中文項目名稱Plan Name in Chinese 摻稀土釩酸鹽雷射單晶元件通用技術條件及測試方法

英文項目名稱Plan Name in English General technical condition and measuring method of rare erath-doped vanadate laser crystals devices

制\修訂Plan Name in English 制定

被修訂標準號Replaced Standard

採用國際標準Adopted International Standard

採用國際標準號Adopted International Standard No

採用程度Application Degree

采標名稱Adopted International Standard Name

標準類別Plan Name in English 方法

國際標準分類號(ICS) 91.100.01

計畫完成年限Suppose to Be Finished Year 2011年

完成時間Achievement Time

所處階段Plan Phase Plan Phase 報批階段

國家標準號Standard No.

備註Remark 國標委綜合 國標委綜合[2009]59號

相關單位

起草單位Drafting Committee 福建福晶科技股份有限公司、中國科學院福建物質結構研究所、國家光電子晶體材料工程技術研究中心

主管部門Governor 中國建築材料聯合會

歸口單位Technical Committees 461 全國人工晶體標準化技術委員會