《摻硼摻磷摻砷矽單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程》是2015年9月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：摻硼摻磷摻砷矽單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程
- 外文名：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
- 標準類別：基礎
- 標準號：GB/T 13389-2014
編制進程,起草工作,
編制進程
2014年12月31日，《摻硼摻磷摻砷矽單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程》發布。
2015年9月1日，《摻硼摻磷摻砷矽單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規程》實施。
起草工作
主要起草單位：有研半導體材料股份有限公司、四川新光矽業科技有限責任公司、中國計量科學研究院、浙江省矽材料質量檢驗中心、杭州海納半導體有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基矽材料股份有限公司。
主要起草人：孫燕、梁洪、高英、樓春蘭、張靜、王飛堯等。
