《提高晶片內部基準電壓值精度的校準系統及方法》是華潤微積體電路（無錫）有限公司於2018年3月5日申請的專利，該專利公布號為CN110231510B，專利公布日為2021年6月18日，發明人是孫紅新、顧曉紅、趙海。
基本介紹
- 中文名：提高晶片內部基準電壓值精度的校準系統及方法
- 授權公告號：CN110231510B
- 授權公告日：2021.06.18
- 申請號：2018101778314
- 申請日：2018.03.05
- 專利權人：華潤微積體電路（無錫）有限公司
- 地址：214135江蘇省無錫市無錫太湖國際科技園菱湖大道180號-6
- 發明人：孫紅新; 顧曉紅; 趙海
- Int. Cl.：G01R19/25(2006.01)I
- 專利代理機構：上海智信專利代理有限公司31002
- 代理人：王潔
專利摘要
本發明涉及一種提高晶片內部基準電壓值精度的校準系統及方法，其中該方法包括燒錄器首先使待測晶片進入校準過程，其次該燒錄器與半自動燒錄機台相配合以檢測該待測晶片的待校準電壓值及接觸電阻兩端的電壓差值，並進行該待測晶片的待校準電壓值及接觸電阻兩端的電壓差值的相減處理以得到與當前校準值相對應的該待測晶片的校準電壓值，最後燒錄器根據是否存在最佳校準電壓值的判斷結果以完成對待測晶片內部基準電壓值的校準。
