控制棒自屏效應

控制棒自屏效應是控制棒吸收體內層的中子吸收率由於外層中子吸收體的禁止而減小的現象,是因中子自屏效應而產生的效應。

中文名稱控制棒自屏效應
英文名稱control rod shielding effect
定  義控制棒吸收體內層的中子吸收率由於外層中子吸收體的禁止而減小的現象。
套用學科電力(一級學科),核電(二級學科)
控制棒內的中子吸收體B4C逐漸消耗,到達一定時候,控制棒吸收中子的能力,即反應性價值將顯著下降,不能滿足控制要求。計算結果表明,由於強烈的空間自屏效應,雖然吸收體外層硼燃耗很多,但吸收體內層硼燃耗很少,因此,反應堆運行壽期末控制棒價值減少很小。

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