《掠入射螢光XAFS研究半導體量子體系的結構和性能》是依託中國科學技術大學，由韋世強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：掠入射螢光XAFS研究半導體量子體系的結構和性能
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：韋世強
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：10375059
- 申請代碼：A30
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：34（萬元）
中文摘要
物質的表面和界面結構研究是物理和材料科學的重要前沿研究領域。建立高靈敏和高精度的掠入射螢光XAFS同步輻射實驗方法，實現物質表面、薄膜材料和低濃度樣品的XAFS研究，將為我國在表面科學、生命科學、材料科學等領域提供一個有意義的公共研究平台。掠入射螢光XAFS、同步輻射光電子能譜和原子力顯微鏡等技術研究分子束外延生長的InSb、GaAs、GaSb基量子點和阱的局域結構、電子結構、表面和界面結構隨摻雜、過渡層結構、尺寸大小等條件的影響，認識其微觀生長機理。光致發光譜測量其量子體系的發光特性，從摻入缺電子和富電子的雜質元素控制其量子體系在紅外波段有很高的發光效率和可調的特徵波長。分子動力學方法計算其量子體系的結構和物理性質，從實驗和理論上建立製備、結構與性能之間的關係，並相互印證。為製備高質量的InSb、GaAs、GaSb基半導體紅外量子器件提供堅實的物理基礎。
