《抗灰跡磷酸鈦氧鉀非線性晶體開發》是吳少凡於2013年8月12日編制的科技報告。
基本介紹
- 中文名：抗灰跡磷酸鈦氧鉀非線性晶體開發
- 作者： 吳少凡
- 編制時間：2013年8月12日
- 報告類型：最終報告
內容摘要
磷酸鈦氧鉀晶體（KTiOPO4）是國際上公認優秀非線性晶體，被廣泛用於製作倍頻、混頻、電光調製、光學參量振盪和光學波導等元器件，是固體雷射器的核心部件，在國際上已經形成了較大規模的產業市場。普通的KTP晶體在強雷射照射下，會在光路上產生被稱為灰跡（gray track）的缺陷，導致晶體對可見和紅外光的吸收大大增加，其損傷閾值一般在300～500MW/cm2（10ns，10Hz）。這嚴重限制了KTP在高功率、高重頻雷射器件中的套用。 近年來隨著雷射技術的不斷發展，對高抗“灰跡”KTP晶體 (High Gray Track Resistance KTP,簡稱HGTR KTP)提出了迫切的需求。 本報告主要記載了灰跡形成機理及微觀本質研究、大尺寸HGTR-KTP晶體生長製備工藝研究、晶體表面高損傷閾值光學薄膜製備工藝研究、工程化技術研究和低成本HGTR-KTP的規模化生產4項研究的主要研究方法、路線和結果。 目前開發了具有自主智慧財產權的大尺寸高抗灰跡磷酸鈦氧鉀（HGTR-KTP）非線性晶體的毛坯生長和器件加工等關鍵技術，製備出各項性能指標完全滿足課題考核指標的大尺寸HGTR-KTP非線性晶體生長及其器件，實現了HGTR-KTP晶體的批量化穩定生產。
