戴顯英

戴顯英，男，中華人民共和國公民，出生於陝西省西安市。

基本介紹

• 中文名：戴顯英
• 國籍：中國
• 出生地：陝西省西安市
• 出生日期：1961年

簡介

戴顯英，男，1961年出生於陝西省西安市，籍貫四川省成都市。

人物生平

1982年畢業於成都電訊工程學院（現電子科技大學）化學師資班，現任西安電子科技大學微電子學院教授、碩士生導師，在職博士。是西安電子科技大學微電子學院碩士生導師，研究方向為新型半導體器件與積體電路。是IEEE會員，中國電子學會高級會員，陝西省真空學會理事。主講了《原子物理》、《微電子工藝基礎》、《積體電路製造技術》、《微電子工藝實習》、《微電子技術新進展》、《研究生專業實驗》等本科、研究生課程。研究方向為應變Si技術、SiGe/Si材料與器件、非晶態半導體材料與器件、鐵電材料與微波器件、高速與RF電路設計等。在物理學報、電子學報、半導體學報等核心刊物及國內外會議發表學術論文60餘篇（其中SCI、EI檢索30餘篇）。獲陝西省教委及西安電子科技大學優秀科技成果獎等5項，獲陝西省自然科學優秀論文獎3項，獲國家發明專利4項（第一發明人2項）及實用新型專利3項（第一發明人1項）。主持或參加了軍事電子預研、國家自然科學基金、武器裝備預研、武器裝備預研基金等21多項重要科研項目，完成17項，在研4項。總經費800多萬元,其中主持科研7項,總經費300餘萬元。在主持的國防重點實驗室基金"SiGe/Si材料雜質濃度表征及工藝控制"項目研究中，提出了四探針法測量SiGe摻雜濃度的新方法，並獲國家發明專利，至今尚未見國內外報導。