截止區，晶體三極體的一個工作區域。在該區域內，發射結反偏，集電結也反偏，沒有電流通過，三極體沒有放大作用。
基本介紹
- 中文名：截止區
- 定義：晶體三極體的一個工作區域
- 工作特徵：發射結反偏，集電結反偏，無電流通過，無放大作用
截止區，晶體三極體的一個工作區域。在該區域內，發射結反偏，集電結也反偏，沒有電流通過，三極體沒有放大作用。
截止區，晶體三極體的一個工作區域。在該區域內，發射結反偏，集電結也反偏，沒有電流通過，三極體沒有放大作用。...
電晶體截止區是指電晶體輸出特性曲線中電晶體輸入電流為0所對應曲線下方的區域。對於共射接法的電晶體，截止區是指電晶體輸出特性曲線中Ib=0曲線下方的區域，而Ib=0是因為Vbe＜Von，即基射電壓低於死區電壓，故也可將截止區定義為Vbe...
場效應管截止區是指當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓，導電溝道全部夾斷，漏極電流歸零時，對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域。場效應管截止區也叫“夾斷區”。基本原理 對於場效應管，當柵源電壓U(GS)低於夾斷電壓U(GS(Off))時，...
開關三極體（Switch transistor）的外形與普通三極體外形相同，它工作於截止區和飽和區，相當於電路的切斷和導通。由於它具有完成斷路和接通的作用，被廣泛套用於各種開關電路中，如常用的開關電源電路、驅動電路、高頻振盪電路、模數轉換電路、...
光譜特性曲線的透射帶兩側為截止區的濾光片稱為帶通濾光片。帶通濾光片是一類重要的光學薄膜元件，它在化學、光譜學、雷射、天文物理、光纖通信、生物學等領域得到了廣泛套用。用光波干涉原理製備的帶通濾光片的光譜曲線，波長 附近...
① 截止區。在截止區內,iB≤0,uBE≤0,uBC<0,集電極只有漏電流流過。 ② 放大區。iB >0,uBE>0,uBC<0,iC =βiB。 ③ 飽和區。iB >Ics/β,uBE>0,uBC>0,iCS是集電極飽和電流,其值由外電路決定。
與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時，都處於截止區，其電壓條件是：VGS |VGS|>|VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。PMOS積體電路...
I(C)取值與U(CE)有很大關係，I(C)隨U(CE)的增大而增大；I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無法實現；各條輸出特性曲線的起始部分密集；電晶體沒有放大作用，集電極和發射極相當於短路，可與截止區配合，用於開關電路。