場效應管截止區是指當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓,導電溝道全部夾斷,漏極電流歸零時,對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域。場效應管截止區也叫“夾斷區”。
基本介紹
- 中文名:場效應管截止區
- 外文名:Cutoff Region
- 學科領域:模擬電子技術
- 定義:當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓,導電溝道全部夾斷,漏極電流歸零時,對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域
場效應管截止區是指當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓,導電溝道全部夾斷,漏極電流歸零時,對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域。場效應管截止區也叫“夾斷區”。
場效應管截止區是指當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓,導電溝道全部夾斷,漏極電流歸零時,對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域。場效應管截止區也叫“夾斷區”。基本原理對於場效應管,當柵源電壓U(GS)低於夾斷電壓U(GS(Off)...
電力場效應管又名電力場效應電晶體分為結型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET),結型電力場效應電晶體一般稱作靜電感應電晶體(Static Induction Transistor——SIT...
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同,可...
場效應管截止區是指當場效應管柵源電壓低於夾斷電壓,導電溝道全部夾斷,漏極電流歸零時,對應的輸出特性曲線靠近橫軸的區域。場效應管截止區也叫“夾斷區”。對於場效應管,當柵源電壓U(GS)低於夾斷電壓U(GS(Off))時,導電溝道...
MOS(金屬-氧化物-半導體)場效應管,簡稱MOS管(或器件),其核心結構是由導體、絕緣體與構成管子襯底的摻雜半導體這三層材料疊在一起組成的。在電學上MOS管作為一種電壓控制的開關器件。描述NMOS器件在三個區域中性能的理想表達式即為...
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管 全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 : positive MOS 金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底...
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場效應管和雙極型電晶體一樣是電路的核心器件,在電路中起以小控大的作用。在場效應管的放大電路中,為實現電路對信號的放大作用,必須要建立偏置電路以提供合適的偏置電壓,使場效應管工作在特性的恆流區。自給偏壓電路 N溝道耗盡型...
這種電晶體的工作,同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子電晶體。這種工作方式與諸如場效應管的單極性電晶體不同,後者的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用。兩種不同摻雜物聚集區域之間的...