德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術

德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術

《德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》詳細地論述了太陽能光伏技術的物理概念、數學推導、常用科技表達(發電曲線、光譜回響、轉換效率等),並且介紹了各類半導體太陽電池和新型太陽電池的原理,以及太陽電池的生產方法與工藝。《德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》的練習題與太陽電池的具體工程設計緊密聯繫。輔助描述和分析了太陽電池的工作原理,是對《德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》理論部分的補充,並可指導相關的分析實驗。

基本介紹

  • 書名:太陽能光伏技術
  • 作者:京特•瓦格曼 海因茨•艾施里希
  • 出版日期:2011年11月1日
  • 語種:簡體中文
  • ISBN:7560540309, 9787560540306
  • 外文名:Photovoltaik
  • 出版社:西安交通大學出版社
  • 頁數:215頁
  • 開本:16
  • 品牌:西安交通大學出版社
基本介紹,內容簡介,作者簡介,圖書目錄,

基本介紹

內容簡介

《德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》深入淺出地詳細地講解了各種材料的太陽電池原理,並簡要介紹了目前主流生產工藝,是一本傳授太陽能光伏技術入門知識的優秀教材。譯者翻譯《德國半導體套用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》的主要目的,是向國內讀者介紹德國先進的光伏理論技術,以及光伏研究和光伏專業課程教材。

作者簡介

作者:(德國)漢斯—京特·瓦格曼(Hans—Günther Wagemann)(德國)海因茨·艾施里希(Heinz Eschrich) 譯者:葉開恆

漢斯—京特·瓦格曼,德國柏林工業大學高頻與半導體系統研究所教授。
海因茨·艾施里希,博士,德國博世太陽能公司工程師。

圖書目錄

譯者前言
中文版前言
符號表
第1章前言
1.1光伏的歷史發展
第2章太陽輻射——光伏能源
2.1輻射源太陽與輻射接收者地球
2.2太陽——黑體輻射
2.3地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章用於光伏能量轉換的半導體材料
3.1固體吸收電磁輻射
3.2光伏極限轉換效率
3.3輻射吸收導致載流子生成
3.4太陽電池的半導體技術基礎
3.5勻質半導體材料中的剩餘載流子特徵
3.6分離激發剩餘載流子的方法
3.7反射損失
第4章太陽電池的晶態半導體材料基礎
4.1太陽電池中的半導體二極體
4.2晶體太陽電池的基本模型
4.2.1電子電流
4.2.2空穴電流
4.2.3總電流
4.2.4光譜靈敏度
4.3標準光譜照射
4.4太陽電池的技術參數
4.5晶體太陽電池的等效電路圖
4.6矽二極體太陽電池的極限轉換效率
第5章單晶矽太陽電池
5.1關於光譜靈敏度的討論
5.2發電特性的溫度特性
5.3改進型單晶矽太陽電池的參數
5.4晶體培育
5.5製備
5.6高功率太陽電池
5.7航天套用中的太陽電池特性退化現象(即輻射損傷)
第6章多晶矽太陽電池
6.1SGS太陽能級矽生產原料的製備
6.2新型矽精煉工藝
6.3多晶矽模組鑄造法
6.4多晶矽中的晶界模型
6.4.1光譜剩餘載流子密度的計算
6.4.2單一微晶體中光電流密度的二維邊界值問題
6.5光譜靈敏度與光電流密度的計算
6.6製備
第7章化合物半導體太陽電池
7.1太陽電池材料矽和砷化鎵的對比
7.2具有AlGaAs視窗層的GaAs太陽電池
7.3AlGaAs/GaAs太陽電池的模型計算
7.4晶體培育
7.5GaAs太陽電池的液相外延生長
7.6製備GaAs太陽電池的LPE工藝流程
7.7用於製備薄膜結構的III/V族半導體氣相外延技術
7.8III/V族半導體材料的疊層結構太陽電池
7.9III/V族化合物半導體太陽電池的聚光技術
第8章非晶矽薄膜太陽電池
8.1非晶矽特性
8.2非晶矽的摻雜
8.3a—Si:H太陽電池的物理模型
8.3.1暗電流
8.3.2光電流
8.4製備
8.5如何減小光退化效應
8.6a—Si:H太陽電池的生產製備
第9章其他類型太陽電池
9.1晶體矽雙面光敏MIS太陽電池
9.2銅銦雙硒太陽電池
9.3a—Si:H/c—Si太陽電池
9.4球型太陽電池
9.5有機半導體太陽電池
9.5.1有機分子半導體
9.5.2有機材料太陽電池
9.5.3染料太陽電池
9.6第三代太陽電池
第10章展望
附錄A計算與表格
A.1計算極限轉換率的積分解法
A.2擴散方程的求解
A.3標準光譜AMl.5
A.4T=300K下的矽材料吸收係數
附錄B習題
習題2.1歐洲不同地點的AM值
習題2.2估算太陽常數E0
習題2.3估算柏林地區的AM(1.5)值
習題2.4太陽日常軌道以及柏林地區所處黃道面上接受的太陽輻射強度和太陽能量的日均及年均量
習題3.1丹伯太陽電池
習題3.2載流子擴散微分方程的二維數值解
習題3.3在陽光照射條件下,尺寸為B×H的p型矽片內的電子分布△n(x,y)偏微分方程的解析解
習題5.1矽太陽電池分析
習題5.01發電特性曲線測量
習題5.02光譜靈敏度測量
習題5.03測量太陽電池的空間電荷區電容
習題5.04利用兩種不同照射強度E1和E2下測得的短路電流Ipk(E)和開路電壓UL(E)確定二極體反向飽和電流I0
習題5.05根據先前確定的反向飽和電流I0曲線上開路點UL=U(I=0)的斜率計算寄生串聯電阻Rs
習題5.06根據先前確定的Rs,通過反向飽和電流I0曲線上短路點Ik=I(U=0)的斜率計算寄生並聯電阻Rp
習題5.07計算基底和發射極內的載流子擴散係數
習題5.08基底內少數載流子的擴散長度
習題5.09計算較高摻雜區中的擴散長度
習題5.10外量子效率Qext(γ)的測量與模擬
習題5.11使用半導體參數模擬發電特性曲線I(U)
習題7.1六層太陽電池的極限轉換率
附錄C實踐練習
C1柏林工業大學的矽太陽電池簡易工藝
C2利用簡易材料製作染料太陽電池
參考文獻
索引

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