微處理器瞬態脈衝干擾下的長期損耗機理研究

微處理器瞬態脈衝干擾下的長期損耗機理研究

《微處理器瞬態脈衝干擾下的長期損耗機理研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學,由吳建飛擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:微處理器瞬態脈衝干擾下的長期損耗機理研究
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:吳建飛
  • 依託單位:中國人民解放軍國防科技大學
  • 負責人職稱:副研究員
  • 批准號:61604176
  • 研究期限:2017-01-01 至 2019-12-31
  • 申請代碼:F0406
  • 支持經費:20(萬元)
中文摘要
微處理器是電子設備的核心器件。隨著電磁環境的惡化,以及在航空航天、交通運輸等特殊領域的剛性需求,微處理器瞬態脈衝干擾下的電磁敏感度和可靠性成為學術界和企業界研究的熱點。目前國內外微處理器瞬態抗擾度研究還停留在分立電路層次,致力於整晶片的失效機理研究不足,並且未對其壽命周期內敏感度差異進行剖析。深入分析微處理器壽命周期內的敏感度變化,研究其敏感度和可靠性失效機理,具有極其重要的理論和現實意義。本項目結合加速老化可靠性與電磁兼容瞬態抗擾度分析方法,理論分析和建模仿真微處理器電路瞬態抗擾度及失效機理,重點挖掘其中易受瞬態脈衝干擾的電路模組和對應失效機理;根據加速老化過程中微處理器的瞬態抗擾度性能差異性,深入剖析老化時單元電路(例如CMOS電晶體閾值電壓、遷移率等)參數偏移;結合微處理器的瞬態抗擾度與可靠性模型,通過與測試對比驗證仿真結果,提煉並改進影響微處理器壽命周期內瞬態抗擾度的關鍵電路設計。

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