《微波電漿PIII剝離製備SOI機理研究》是依託核工業西南物理研究院，由耿漫擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：微波電漿PIII剝離製備SOI機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：耿漫
- 依託單位：核工業西南物理研究院
- 批准號：19975014
- 申請代碼：A3003
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2000-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費：16.5（萬元）
項目摘要
ＳＯＩ材料已成為大規模積體電路中不可或缺的重要材料。使用微波電子迴旋共振方法提供單能的″純淨″的電漿通過電漿浸沒離子注入矽片並結合低溫電漿氧化和鍵合進行真空退火剝離，從而得到ＳＯＩ材料。本項目將研究注入離子成份能量劑量對微空腔的形成機理及受熱聚集膨脹剝離機制，並為初步完成工藝製備ＳＯＩ材料提供新方法。
