微波電晶體放大器

微波電晶體放大器(microwave transistor ampli­fier)用電晶體作為有源器件對微波信號實現放大的裝置。分為微波大功率放大器、微波低噪聲放大器兩種。

基本介紹

• 中文名：微波電晶體放大器
• 類型：儀器設備

微波功率放大器

微波功率放大器用於放大較強的微波信號。主要指標有：①輸出功率，②非線性失真。非線性失真將引起幅度調製信號，如AM、MQAM等的畸變，使限帶信號頻譜展寬。減小非線性失真的措施一般有功率回退法和預失真法。功率回退法是降低輸出功率，使電晶體工作於線性區。是在輸入信號內加入適當的失真成分，使其在放大器中與新產生的失真抵消。在採取了這些措施之後，非線性失真一般能達到要求。

當微波電晶體輸出功率有限，且需要更大功率輸出時，就要採用功率合成技術(見功率放大器），原理如圖(a)所示。可用圖(b)所示的功率合成器，也可用其它耦合結構。當採用功率合成器時，要求有一對輸入端的信號幅度和相位必須相同，否則將不能完全相加而損耗功率。

圖1

微波功率放大器的結構一般為微帶結構，散射參量及相關的特徵參數由計算機系統進行輔助設計。

微波電晶體放大器發展很快，微波金屬半導體場效應管、MESFET的出現使工作頻段可以由1GHz延伸至30GHz,線性輸出功率大於幾十瓦，三階交調系 數優於-40dBc大大提高了微波通信設備的性能。

微波低噪聲放大器

微波低噪聲放大器裝置在微波接收機的輸入端，放大接收機的噪聲電平，直接決定接收機所能夠接收的最低信號電平，所以低噪聲放大器對提高接收機的靈敏度具有重要作用。微波低噪聲放大器由微波低噪聲電晶體及微帶電路組成，利用散射參量進行設計。微波低噪聲電晶體隨著工藝，結構、材料的進步，發展很快。