微機電系統(MEMS)器件中若干電磁學問題的數值模擬研究

微機電系統(MEMS)器件中若干電磁學問題的數值模擬研究

《微機電系統(MEMS)器件中若干電磁學問題的數值模擬研究》是依託華中科技大學,由邵可然擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:微機電系統(MEMS)器件中若干電磁學問題的數值模擬研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:邵可然
  • 依託單位:華中科技大學
  • 批准號:50477045
  • 申請代碼:E0701
  • 負責人職稱:教授
  • 支持經費:22(萬元)
  • 研究期限:2005-01-01 至 2007-12-31
中文摘要
微機電系統(MicroElectroMechanical Systems, MEMS)是在微電子技術基礎上發展起來的多學科交叉的前沿研究領域, 目前它已成為世界矚目的重大科技領域之一。MEMS器件的仿真、設計目前還有不少困難,困難之一是多能量域的耦合。本項目提出採用無格線算法研究MEMS器件中若干電磁學問題的數值模擬。研究的核心內容是:計算電磁學的正交基無格線方法;研究多能量域耦合的無格線算法,包括無格線的有限點方法(FCM)和邊界型無單元法(BCM),並研究FCM-BCM的耦合算法;用無格線法對MEMS器件中考慮電和機械結構相互耦合的壓電效應的數值模擬;用FCM-BCM算法對靜電MEMS器件中靜電場與結構力場相互耦合效應的數值模擬。使MEMS器件工作的靜態、準靜態和動態模擬成為可能,進而使我們能夠對MEMS器件的結構和工藝進行計算機模擬和最佳化設計。

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