張乃千，男，95年畢業於清華大學電子工程學士學位，微波專業，07年畢業於加州大學電子與計算機工程博士學位，半導體專業，是世界上最早研究氮化鎵（GaN）電子器件的人員之一，是美國電子工程師協會（IEEE）會員，及其核心雜誌IEEE EDL的審稿人。
基本介紹
- 中文名：張乃千
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 出生地：中國湖南省漢壽縣
- 畢業院校：清華大學
- 主要成就：電子與計算機工程
人物簡介,人物資歷,學術背景,工作經歷,
人物簡介
張乃千博士是世界上最早研究氮化鎵（GaN）電子器件的人員之一，是美國電子工程師協會（IEEE）會員，及其核心雜誌IEEE EDL的審稿人。1997年入美留學加州大學Santa Barbara分校，師從美國科學院院士Umesh Mishra教授，獲固態半導體博士學位。在博士研究階段，張乃千研製出世界首個GaN電力電子器件，其擊穿電壓超過1千伏。畢業後進入當時全球最大的射頻半導體生產廠家RFMD公司，兩年後任產品開發主管，主持砷化鎵（GaAs）功放晶片產品開發工作，並參與氮化鎵微波功率器件開發。2006年底任Fultec公司先進半導體技術經理，負責開發高電壓氮化鎵開關功率器件。他研製出的2千伏開關又一次刷新了該領域GaN器件的記錄，開創了氮化鎵套用於電力電子的新局面。2007年張乃千回國創辦了西安能訊微電子有限公司。能訊公司是中國第一家生產寬禁帶半導體電子器件的企業，致力於氮化鎵等功率器件的產品開發及產業化。2009年4月因其在氮化鎵電子器件領域所作出的的突出貢獻，以及對其產業化的努力，張乃千入選首批中組部評選的“千人計畫”國家特聘專家。張乃千本科就讀於清華大學電子工程系微波工程專業，之後曾作為訪問學者於香港城市大學研究高效率微波放大器。
人物資歷
學術背景
97年9月 – 07年5月，加州大學Santa Barbara分校(UCSB)
電子與計算機工程博士學位，半導體專業，2002 年 6 月
商業管理實踐研究生認證 (GPMP) ，2002 年 2 月
UCSB是世界上最早開展氮化鎵材料和器件研究的大學之一，並且在這個領域保持領先地位至今。世界上第一個氮化鎵白光發光二極體的發明人中村修二就在學校任教，現在白光發光二極體已經成為照明和顯示器的發展趨勢。世界上第一個氮化鎵微波功率HEMT器件就是美國科學院院士Umesh Mishra教授的課題組1994年開發出來的。UCSB電機系更是匯集了例如諾貝爾物理獎獲得者Herbert Kroemer，氮化鎵材料的先驅Steven DenBaars，電機物理化學三棲終生會員Evelyn Hu等一大批半導體領域的傑出科學家。如今，UCSB已經成為了世界氮化鎵半導體研究的中心。
90年9月– 95年6月，清華大學
電子工程學士學位，微波專業，1995 年 7 月
工作經歷
07年6月至今，能訊微電子有限公司，總裁
● 能訊公司是中國首家寬禁帶半導體電子器件公司，生產氮化鎵微波功率器件和電力電子器件。
● 2009年推出了2 kV高電壓開關器件；2010年推出了微波功率器件。
● 2011年公司開始在崑山建設中國第一條氮化鎵電子器件生產線。
06年10月 – 07年5月，美國Fultec公司（現Bourns公司），先進半導體技術經理
● 開發出了世界記錄的擊穿電壓超過2 kV的氮化鎵HEMT。
02年7月 – 06年9月，美國RFMD公司，基站產品部產品開發主管
● 主持開發了基站產品部第一代RF3800系列微波功率放大器晶片。
● 公司“Spotlight” 獎獲得者。
● RFMD GaN HEMT專業指導委員會成員。
● CCG領導管理藝術培訓結業。
00年6月 – 00年9月，美國Cree公司，器件工程師
● C 波段氮化鎵微波混合功率放大器設計及製造工作。
● GaN HEMT表面鈍化技術工業套用。
96年12月 – 97年6月， 香港城市大學，訪問學者
● 設計和製造套用於無線通訊領域的超高效率射頻E類放大器。
● 開發出套用於寬頻E類放大器的自動負載調節技術。
