弗朗茲一凱爾迪什效應

弗朗茲一凱爾迪什效應（英語：Franz-Keldysh effect）是指

在強電場（一般在百伏電壓）作用下，導致半導體吸收邊形狀的改變，及引起其折射率相應變化的現象。它是德國物理學家沃爾特·弗朗茲和俄國物理學家萊奧尼德·凱爾迪什於1957-1958年間先後獨立發現的。因而以他們二人的名字命名。

在半導體材料中，光子吸收主要發生在價帶電子被受激躍遷到導帶的情況。

外電場使能帶傾斜，當外電場很強（一般百伏電壓）時，價帶電子通過隧穿躍遷到導帶的幾率大大增加，有效能隙減小，使得吸收邊發生紅移，同時折射率發生相應變化的現象，這就是弗朗茲一凱爾迪什（Franz-Keldysh ）效應。

弗朗茲一凱爾迪什效應可以使折射率虛部與實部均發生變化，且前者占主要地位，它是由於半導體材料外加電場之後所引起的能帶彎曲導致的。對波長靠近帶隙的光較敏感，而對於通信用的1.31μm和1.55μm的近紅外光則非常不敏感，效應相當微弱。