平面微腔半導體雷射器的光學性質研究

《平面微腔半導體雷射器的光學性質研究》是趙一廣為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。

基本介紹

• 中文名：平面微腔半導體雷射器的光學性質研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人 ：趙一廣
• 依託單位 ：北京大學

基本信息

批准號	19774010
項目名稱	平面微腔半導體雷射器的光學性質研究
項目類別	面上項目
申請代碼	A2205
項目負責人	趙一廣
負責人職稱	副教授
依託單位	北京大學
研究期限	1998-01-01至2000-12-31
支持經費	12(萬元)

項目摘要

本項工作對平殃妹旋探面微腔半導體雷射器的電、熱、光波導特性、模式控制以及微腔對光譜特性的影響等進白鍵請行了系統的研究。揭示了雷射器的結構對注入電流、電壓分布的影響，並在此基礎上從根本抹譽虹上揭示了其光波導特性，予言了實現單模工作的雷射器結構。對於半導體微結構的光激勵的瞬態特性的研究，發現了量子阱的界面粗糙、阱寬汽淚遷以及勢壘高度對瞬態特性有很大的影響葛整精。這一結果不僅揭示了影響這些半導體微結構瞬態臘遷促盛特性的物理根源。對於進一步認識這些半導騙備體微結構的物理特性，並用其設計與製作高速光電器件有重大價值。在國內首次生長GnNAS和GalnNAs新型半導體材料，並用此材料成功制極有套用前景長波長半導體平面微腔雷射器。發現Pd/Sb(Mn)薄膜可以很好地代替P型GaAs/AsAl用於製作平面微腔半導體雷射器的上反射鏡。