晶體矽的能帶由導帶、價帶以及兩者之間的禁帶組成。導帶底和價帶頂都有固定的值。由於晶體矽中存在雜質和晶格缺陷，會在禁帶中引入缺陷能級。如果缺陷和雜質濃度比較高，缺陷能級就會拓寬，形成缺陷能帶，甚至與導帶或禁帶相連，則此時的能帶結構稱作帶尾結構。非晶矽的原子結構是短程有序，長程無序，缺陷密度非常高，其能帶結構就是帶尾結構；即非晶矽的缺陷能級變成連續且延伸到帶隙的深處。無論價帶帶尾還是導帶帶尾其缺陷能級狀態密度均呈成指數減少。
