在同一片晶圓上改變曝光能量和聚焦度，再用缺陷檢測的方法來確定最佳曝光條件，這一工作被稱為工藝視窗的再驗證（process window qualification, PWQ）。
基本介紹
- 中文名：工藝視窗再驗證
- 外文名：ProcessWindow Qualification, PWQ
圖1（a）是PWQ晶圓曝光的設定，整個晶圓上大部分曝光區域的能量和聚焦值設定在最佳值能量E/聚焦值F（由FEM數據提供）；兩列曝光區域的能量按-ᐃE，-5ᐃE與ᐃE，5ᐃE變動；兩列曝光區域的聚焦值按-ᐃF，-5ᐃF與ᐃF，5ᐃF變動。整個能量和聚焦度變化的範圍要能覆蓋工藝視窗，以此來選取步長值（ᐃE和ᐃF）。
圖1 （a）PWQ晶圓曝光的設定（b）一個PWQ晶圓的缺陷結果
圖1（b）是一個PWQ晶圓的缺陷檢測結果，它標出了有能量和聚焦調製的曝光區域的缺陷數目。可以看到在E=11mJ、F=-0.053um的曝光區域有最少的缺陷數目。這和FEM結果推薦的E=11mJ、F=0.025um非常接近。
