崔江維

崔江維，女，中國科學院大學專任教師。

基本介紹

• 中文名：崔江維
• 國籍：中國
• 畢業院校：西安理工大學
• 學位/學歷：博士

人物經歷

教育背景

2007-09--2012-06 中國科學院研究生院，中國科學院新疆理化技術研究所 博士

2002-09--2006-06 西安理工大學 學士

工作經歷

2019-11~現在, 中國科學院新疆理化技術研究所, 研究員

2012-10~2019-10,中國科學院新疆理化技術研究所, 副研究員

2012-07~2012-09,中國科學院新疆理化技術研究所, 助理研究員

2007-09~2012-06,中國科學院研究生院，中國科學院新疆理化技術研究所, 博士

2002-09~2006-06,西安理工大學, 學士

科研成果

專利成果

（ 1 ） 一種抗輻射加固SOI材料的總劑量輻射性能評估方法, 2020, 第 2 作者, 專利號: 202011266943.0

（ 2 ） 一種電路級總劑量輻射效應仿真方法, 2020, 第 2 作者, 專利號: 202011125626.7

（ 3 ） 一種總劑量效應與工藝波動耦合的電路仿真方法, 2020, 第 2 作者, 專利號: 202011125363.X

（ 4 ） 一種總劑量輻照對PMOSFET負偏壓溫度不穩定性影響的試驗方法, 2020, 第 1 作者, 專利號: 201711329107.0

（ 5 ） 一種基於閾值電壓類型匹配的6-T存儲單元抗總劑量加固方法, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201911212779.2

（ 6 ） 一種基於三維疊層封裝SRAM器件的在軌單粒子翻轉甄別系統, 2019, 第 2 作者, 專利號: 201911212780.5

出版信息

發表論文

（1） Impact of TID on within-wafer variability of Radiation Hardened SOI Wafers, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2021, 通訊作者

（2） Modeling of TID-induced leakage current in ultra-deep submicron SOI NMOSFETs, Microelectronics Journal, 2020, 通訊作者

（3） The influence of total ionizing dose on the hot carrier injection of 22 nm bulk nFinFET, Journal of Semiconductors, 2020, 通訊作者

（4） 22 nm 體矽FinFET 熱載流子及總劑量效應研究, 固體電子學研究與進展, 2020, 第 2 作者

（5） Total Ionizing Dose Response of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 第 2 作者

（6） 總劑量輻照後全耗盡SOI N型場效應電晶體的熱載流子效應, Hot-carrier effect on γ ray irradiated short-channel FD-SOI n-MOSFETs, IEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference (NSREC), 2018, 第 1 作者

（7） 65nm窄溝道電晶體的輻照偏置效應, Bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects in 65 nm NMOSFETs, Chinese Physics Letters, 2018, 通訊作者

（8） 總劑量輻射對65nm DICE結構SRAM單粒子翻轉效應的影響研究, The increased Single Event Upset sensitivity of 65nm DICE SRAM induced by Total Ionizing Dose, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 第 2 作者

（9） 總劑量輻射引起的65nm 6-T SRAM讀噪聲容限下降, Read Static Noise Margin Decrease of 65 nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 第 2 作者

（10） 溝道寬度對65納米金屬氧化物半導體器件負偏壓溫度不穩定性的影響研究, Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET, 電子學報, 2018, 第 1 作者

（11） 伽馬射線輻照後的90nm和65nm P型場效應電晶體的負偏置溫度不穩定性研究, Negative bias temperature instability on γ ray irradiated 90nm and 65nm PMOSFET, Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), 2017, 第 1 作者

（12） 總劑量輻射對130nm 部分耗盡SOI SRAM單粒子翻轉效應的影響研究, Total Ionizing Dose influence on the Single Event Upset sensitivity of 130nm PD SOI SRAMs, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, 第 2 作者

（13） 納米pMOSFET負偏壓溫度不穩定性測試方法, Test Method on Negative Bias Temperature Instability of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 固體電子學研究與進展, 2017, 第 1 作者

（14） 130nm 部分耗盡SOI SRAM存儲單元噪聲容限的直接測量和分析研究, Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin, Chinese Physics B, 2017, 第 2 作者

（15） 超深亞微米互補金屬氧化物半導體器件的劑量率效應, Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process, 物理學報, 2016, 通訊作者

（16） 總劑量輻照對65nm 金屬氧化物半導體場效應電晶體的熱載流子效應影響研究, Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者

（17） 總劑量輻射引起的商用超深亞微米SRAM功能失效模式分析研究, Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micro SRAM induced by total dose irradiation, Chinese Physics B, 2015, 通訊作者

（18） 總劑量輻照對超深亞微米NMOSFET熱載流子效應的影響研究, Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者

（19） 總劑量輻射環境中的SRAM器件功能失效模式研究, Research on SRAM Functional Failure mode induced by ionizing total dose irradiation, 物理學報, 2013, 第 3 作者

（20） 溝道寬長比對深亞微米NMOSFET總劑量輻射與熱載流子損傷的影響, The influence of channel size on total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFET, 物理學報, 2012, 第 1 作者

（21） 深亞微米N型金屬氧化物半導體場效應電晶體的總劑量輻射效應及熱載流子效應, Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2012, 第 1 作者

（22） SOI電晶體翹曲效應和總劑量效應的關聯研究, Relationship between silicon-on-insulator kink and radiation effects, International Journal of Modern Physics E, 2011, 第 1 作者

（23） SOI N型金屬氧化物半導體場效應電晶體的雙峰效應和總劑量效應, Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2011, 第 1 作者

科研項目

（ 1 ） 淺槽隔離氧化物陷阱電荷劑量率效應機制, 主持, 國家級, 2016-01--2018-12

（ 2 ） 重離子輻照後柵介質可靠性研究, 主持, 部委級, 2016-06--2018-05

（ 3 ） 青年創新促進會項目, 主持, 部委級, 2018-01--2021-12

（ 4 ） 器件研製過程的總劑量效應評估, 參與, 部委級, 2016-08--2018-06

（ 5 ） 微納器件在空間不同效應作用下的損傷機制研究, 參與, 國家級, 2015-01--2018-12

（ 6 ） 電離總劑量輻射效應模擬試驗研究, 參與, 國家級, 2016-01--2020-12

（ 7 ） 納米SOI器件總劑量效應與可靠性研究, 參與, 部委級, 2015-09--2019-06

（ 8 ） 材料評估技術, 主持, 部委級, 2019-01--2020-12

（ 9 ） 先進器件總劑量效應, 主持, 部委級, 2019-09--2023-08

（ 10 ） 標準單元庫總劑量效應建模技術, 主持, 國家級, 2020-01--2021-12