《實現單片光子集成的新手段-量子阱部分無序技術研究》是依託清華大學，由李德傑擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：實現單片光子集成的新手段-量子阱部分無序技術研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：李德傑
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：69277012
- 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
- 申請代碼：F0502
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
通過在GaAs/AlGaAs多量子阱材料表面沉積SiOx膜然後快速退火的手段，實現了量子阱材料的部分無序，即阱壘之間組分部分混合，能隙改變，吸收邊蘭移。證明經部分無序處理後材料仍然具有量子阱的基本特性，且載流子濃度分布不會發生顯著變化。將上述技術套用於量子阱材料的微區處理，實現微區吸收帶邊差異，進而製作出脊波導型雷射器與調製器的集成器件，集成器件的調製段（經部分無序處理）對雷射器發出納光有良好控制作用，在5.6V反向偏壓下消光比達20dB。與調製段未經無序處理的集成器件相比，明顯看出部分無序處理在降低光損耗方面的重要作用。本課題還對GaInAs/AlInAs長波長量子阱材料的部分無序處理進行探討。上述研究成果可廣泛套用於單片光子集成中。
